[發明專利]高集成半導體存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610989412.1
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN106847854B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 李章旭;金圣哲;崔康植;金錫基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

1.一種制造半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上以第一恒定間距形成包括樁的線圖案形的有源區；

以第二恒定間距形成多個字線以與所述有源區交叉；

對在所述字線中的每個的兩側處的所述有源區執行雜質的離子注入，以在與所述樁相對應的注入的有源區中形成源極區域，并在其余的注入的有源區中形成漏極區域；

在暴露在所述字線之間的所述源極區域和所述漏極區域上形成下電極；

在所述字線的側壁和所述下電極上形成間隔件絕緣層；

刻蝕所述間隔件絕緣層，以選擇性地暴露出在所述漏極區域上的所述下電極；以及

在所述暴露出的下電極和所述間隔件絕緣層上形成儲存層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述有源區的步驟包括以下步驟：

在所述半導體襯底上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成具有與所述犧牲層不同的刻蝕選擇性的第一半導體層；

刻蝕所述第一半導體層和所述犧牲層，以暴露出與所述源極區域相對應的所述半導體襯底；

在所述第一半導體層和所述半導體襯底上形成具有與所述犧牲層不同的刻蝕選擇性的第二半導體層；以及

去除所述犧牲層。

3.如權利要求2所述的方法，還包括以下步驟：

在去除了所述犧牲層的空間中填充絕緣材料。

4.一種制造半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成犧牲層和線圖案形的有源區；

以恒定間距形成多個字線以與所述有源區交叉；

選擇性地去除所述犧牲層；

在所述字線之間的空間中以及在去除了所述犧牲層的空間中形成絕緣層；

在所述字線之間的所述有源區上選擇性地刻蝕所述絕緣層，以暴露出所述有源區；

刻蝕暴露出的有源區和在所述暴露出的有源區之下的所述絕緣層，以形成暴露出所述半導體襯底的源接觸孔；

在所述源接觸孔中形成源極樁，以與所述有源區連接；

在所述源極樁中和所述字線中的每個的兩側處的有源區中離子注入雜質，以在源極樁中形成源極區域并在有源區中形成漏極區域；

在所述源極區域和所述漏極區域上形成下電極；

在所述下電極上形成間隔件絕緣層；

刻蝕所述間隔件絕緣層以選擇性地暴露出在所述漏極區域上的所述下電極；以及

在所述間隔件絕緣層和所述暴露出的下電極上形成儲存層。