[發明專利]一種熱處理過程中調控半導體薄膜中元素吸附或逃逸的方法

在審

• 申請號: 201610988921.2
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN108022839A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 劉衛衛
• 申請（專利權）人: 鹽城師范學院
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種方法，特別涉及一種熱處理過程中調控半導體薄膜中元素吸附或逃逸的方法。本發明的方法為：將熱處理過程中的升溫速率控制在5?8℃/min，將熱處理過程中的降溫速率控制在8?10℃/min。由于采用上述技術方案，本發明所具有的優點和積極效果是：可以在激活摻雜原子的同時防止摻雜原子的逃逸，提高有效的摻雜效率；更換熱處理環境方便，操作簡單；只要合理的改變熱處理環境壓強即可實現對薄膜中元素的吸附或逃逸的控制。

技術領域

本發明涉及一種方法，特別涉及一種熱處理過程中調控半導體薄膜中元素吸附或逃逸的方法。

背景技術

目前，隨著半導體工業的發展，半導體摻雜是改變半導體材料特性的有效方法。但是，要有效的發揮摻雜作用，必須激活摻雜原子。激活就需要采用熱處理工藝。在熱處理過程中如何在有效的激活摻雜原子的同時防止摻雜元素吸附或逃逸，如何調控熱處理過程中薄膜中元素含量是一個非常重要的課題。現有技術在熱處理過程中往往在激活摻雜原子的同時摻雜原子(特別是非金屬摻雜元素)還將吸附或逃逸薄膜材料，這樣將大大降低摻雜效果。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種熱處理過程中調控半導體薄膜中元素吸附或逃逸的方法，能在熱處理過程中通過改變半導體薄膜所處環境的壓強來調控薄膜中元素的吸附或逃逸，實現對半導體薄膜中元素含量的調控，從而進一步調控半導體薄膜的光電特性。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：本發明的工作原理為：元素蒸汽壓隨著所處壓強的改變而發生變化。通過控制半導體薄膜所處環境壓強，實現對薄膜中元素蒸汽壓的控制，進一步控制半導體薄膜中元素吸附或逃逸，從而達到改變半導體薄膜中元素含量的目的，最終調節半導體薄膜的光電特性。本發明的方法為：將熱處理過程中的升溫速率控制在5-8℃/min，將熱處理過程中的降溫速率控制在8-10℃/min。

由于采用上述技術方案，本發明所具有的優點和積極效果是：可以在激活摻雜原子的同時防止摻雜原子的逃逸，提高有效的摻雜效率；更換熱處理環境方便，操作簡單；只要合理的改變熱處理環境壓強即可實現對薄膜中元素的吸附或逃逸的控制。