[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610988648.3 | 申請日： | 2016-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN106653972A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 柴廣躍;羅劍生;劉文;陳祖軍;劉志慧 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
襯底；
設置在所述襯底上的第一半導體層，其中所述第一半導體層上設置有一凹槽，所述凹槽內設置有第一電極；
設置在所述第一半導體層上的第二半導體層；
設置在所述第二半導體層上的第二電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽貫穿所述第一半導體層。
3.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括有源區(qū)，所述有源區(qū)設置在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極包括第一層金屬鎳、第二層金屬鋁/銅以及第三層金屬鎳/金。
5.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半導體層的厚度大于所述第二半導體層的厚度。
6.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一襯底，并在所述襯底上生長第一半導體層，并在所述第一半導體層上設置一凹槽，在所述凹槽內設置第一電極；
在所述第一半導體層上生長第二半導體層；
在所述第二半導體層上形成第二電極。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法包括：在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間設置有源區(qū)。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述凹槽貫穿所述第一半導體層。
9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一半導體層上設置一凹槽的步驟包括：
應用反應離子刻蝕方法刻蝕所述第一半導體層，形成所述凹槽。
10.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽內設置第一電極的步驟包括：
在所述凹槽上濺射第一層金屬鎳；
電鍍第二層金屬鋁/銅填充所述凹槽；
制作第三層金屬鎳/金。
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