[發明專利]感測元件及其形成方法有效
| 申請號: | 201610988314.6 | 申請日: | 2016-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN108072683B | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 冉曉雯;蔡娟娟;張柏懿;劉洪銓;周宜霆;陳蔚宗 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/04 | 分類號: | G01N27/04;G01N27/327 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一種感測元件,其特征在于,包含:
多個第一導電納米結構,所述多個第一導電納米結構的材料包含銀;
導電層,覆蓋所述多個第一導電納米結構,所述導電層的材料熔點高于所述多個第一導電納米結構的材料熔點,所述導電層是對氣體敏感的,且所述導電層接觸所述多個第一導電納米結構,所述導電層的材料包含金屬氧化物,且所述金屬氧化物為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)或上述任意組合;以及
至少一個電極,電性連接所述多個第一導電納米結構與所述導電層的其中至少一個。
2.如權利要求1所述的感測元件,其特征在于,所述多個第一導電納米結構為多個銀納米線。
3.如權利要求1所述的感測元件,其特征在于,還包含:
基底;以及
多個第二導電納米結構,與所述多個第一導電納米結構分別分布于所述基底的不同區域,所述多個第二導電納米結構不被所述導電層覆蓋。
4.如權利要求3所述的感測元件,其特征在于,所述多個第一導電納米結構與所述多個第二導電納米結構由相同材料所形成的。
5.如權利要求3所述的感測元件,其特征在于,所述多個第一導電納米結構為被所述導電層所包覆的多個銀納米線,所述多個第二導電納米結構為位于所述導電層外的多個銀納米線。
6.如權利要求3所述的感測元件,其特征在于,所述導電層的材料熔點高于所述多個第二導電納米結構的材料熔點。
7.一種感測元件的形成方法,其特征在于,包含:
在基材上形成多個導電納米結構,所述多個導電納米結構的材料包含銀;
在第一部分的所述多個導電納米結構上覆蓋導電層,并露出第二部分的所述多個導電納米結構,所述導電層是對氣體敏感的,且所述導電層接觸所述第一部分的所述多個導電納米結構,所述導電層的材料包含金屬氧化物,且所述金屬氧化物為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)或上述任意組合;
對所述導電層與所述多個導電納米結構進行加熱處理,其中所述多個露出的導電納米結構被所述加熱處理熔化,而所述多個被覆蓋的導電納米結構不會被所述加熱處理熔化;以及
形成至少一個電極以電性連接所述導電層與所述多個被覆蓋的導電納米結構的其中至少一個。
8.如權利要求7所述的感測元件的形成方法,其特征在于,在所述第一部分的所述多個導電納米結構上覆蓋所述導電層包含在所述多個導電納米結構上形成金屬氧化物層,以及圖案化所述金屬氧化物層。
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