[發明專利]一種適用于黑硅硅片的減反射層結構及其制作方法在審
| 申請號： | 201610986914.9 | 申請日： | 2016-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN106356411A | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發明（設計）人： | 徐云洲;張偉 | 申請（專利權）人： | 徐州鑫宇光伏科技有限公司;協鑫集成科技股份有限公司;協鑫集成科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 221000 江蘇省徐州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 硅片 反射層 結構 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
