[發明專利]形成薄膜的方法、制造集成電路器件的方法和形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201610986776.4
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN107026072B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 林載順;樸圭熙;曹侖延;克雷門.蘭薩洛;盧沅泰;J.利弗萊格;李柱澔
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;喬治·克勞德方法的研究開發液氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.形成薄膜的方法，所述方法包括：

通過使用鈮前體成分和反應物在基底上形成含鈮的膜，所述鈮前體成分包括由式(1)表示的鈮化合物：

式(1)

Nb(R₅Cp)₂(L)

其中，在式(1)中，

R各自獨立地為H、C1-C6烷基或R¹₃Si，其中R¹各自獨立地為H或C1-C6烷基，

Cp為環戊二烯基，和

L為脒化物，

其中所述鈮化合物具有化學式2：

[化學式2]

其中R和R'各自獨立地為H、C1-C6烷基或R¹₃Si，且R”為C1-C6烷基或R¹₃Si，其中R¹各自如式(1)中所定義。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述鈮前體成分包括等于或大于95重量％的所述由式(1)表示的鈮化合物。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述鈮前體成分包括

所述由式(1)表示的鈮化合物，和

雜質，所述雜質包括有機化合物、金屬或其組合。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述反應物選自：N₂、NH₃、N₂H₄、N(SiH₃)₃、N(CH₃)H₂、N(C₂H₅)H₂、N(CH₃)₂H、N(C₂H₅)₂H、N(CH₃)₃、N(C₂H₅)₃、(SiMe₃)₂NH、(CH₃)HNNH₂、(CH₃)₂NNH₂、苯肼、吡唑啉、其自由基、及其混合物。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述形成含鈮的膜包括：

蒸發包括所述由式(1)表示的鈮化合物的所述鈮前體成分；

通過將蒸發的鈮前體成分供應至所述基底上而在所述基底上形成Nb源吸附層；和

將所述反應物供應至所述Nb源吸附層上。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述形成含鈮的膜進一步包括：在將蒸發的鈮前體成分供應至所述基底上之前，等離子體處理所述蒸發的鈮前體成分。

7.如權利要求5所述的方法，其中所述形成含鈮的膜進一步包括：在將所述反應物供應至所述Nb源吸附層上之前，等離子體處理所述反應物。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述形成含鈮的膜包括同時供應所述鈮前體成分和所述反應物，所述鈮前體成分包括所述由式(1)表示的鈮化合物。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述形成含鈮的膜進一步包括：在同時供應所述鈮前體成分和所述反應物期間，等離子體處理所述鈮前體成分和所述反應物的至少一種。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述鈮化合物在室溫下為液體。