[發明專利]用于顯示設備的薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201610985215.2
• 申請日: 2016-10-25
• 公開（公告）號: CN106935654A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 趙成民;具奭勛
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/16
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 康泉,宋志強

1.一種用于顯示設備的薄膜晶體管，包括：

基板；

半導體，被布置在所述基板上，并且包括溝道以及布置在所述溝道的相對側的源區和漏區；

柵絕緣層，包括布置在所述基板和所述半導體上的第一柵絕緣層以及布置在所述第一柵絕緣層上并與所述溝道重疊的第二柵絕緣層；

布置在所述第二柵絕緣層上的柵電極；

直接布置在所述第一柵絕緣層和所述柵電極上的層間絕緣層；以及

布置在所述層間絕緣層上并連接到所述半導體的源電極和漏電極，

其中，所述柵絕緣層的與所述柵電極重疊的部分的厚度大于所述柵絕緣層的與所述源區重疊的部分的厚度以及所述柵絕緣層的與所述漏區重疊的部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第二柵絕緣層的厚度大于所述第一柵絕緣層的厚度。

3.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述柵絕緣層的與所述柵電極重疊的部分包括所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層，并且

所述柵絕緣層的與所述源區重疊的部分以及所述柵絕緣層的與所述漏區重疊的部分包括所述第一柵絕緣層，并且不包括所述第二柵絕緣層。

4.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第二柵絕緣層和所述柵電極具有相同的平面形狀。

5.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第二柵絕緣層的兩個相對側邊緣中的每個邊緣分別與所述溝道和所述源區之間的邊界以及所述溝道和所述漏區之間的邊界重疊。

6.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，進一步包括：

第一接觸孔和第二接觸孔，都被形成在所述第一柵絕緣層和所述層間絕緣層中以分別暴露所述源區的至少一些和所述漏區的至少一些，

其中，所述源電極通過所述第一接觸孔被連接到所述源區，并且所述漏電極通過所述第二接觸孔被連接到所述漏區。

7.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述半導體包括：

布置在所述溝道和所述源區之間的第一摻雜區；以及

布置在所述溝道和所述漏區之間的第二摻雜區，并且

其中，包括在所述源區和所述漏區中的雜質不同于包括在所述第一摻雜區和所述第二摻雜區中的雜質。

8.根據權利要求7所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第一摻雜區和所述第二摻雜區與所述柵電極和所述第二柵絕緣層重疊。

9.根據權利要求1所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第一柵絕緣層的蝕刻率不同于所述第二柵絕緣層的蝕刻率。

10.根據權利要求9所述的用于顯示設備的薄膜晶體管，其中：

所述第一柵絕緣層由氧化鉿制成，并且所述第二柵絕緣層由氧化硅制成。