[發(fā)明專利]多晶硅薄膜晶體管的生產(chǎn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610983571.0 | 申請日: | 2016-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN106504994A | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張豪峰;王國余;陳建榮;任思雨;蘇君海;李建華 | 申請(專利權(quán))人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶 薄膜晶體管 生產(chǎn) 方法 | ||
【說明書】:
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 生產(chǎn)系統(tǒng)和生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)設備和生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)系統(tǒng)及產(chǎn)品生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)藥品的生產(chǎn)線和包括該生產(chǎn)線的生產(chǎn)車間
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