[發明專利]一種垂直結構LED芯片的制造方法

在審

• 申請號: 201610981926.2
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN106601877A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 徐亮;何鍵云
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種垂直結構LED芯片的制造方法，包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底上依次形成緩沖層、發光結構、擴散阻擋層，其中，所述發光結構包括依次形成的N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層、透明導電層和金屬反射層；

在所述擴散阻擋層上依次形成種子層和金屬襯底，并將所述第一襯底與所述發光結構分開；

對所述發光結構進行刻蝕，形成貫穿所述發光結構的第一通孔（第一次光刻）；

在所述發光結構表面及第一通孔側壁形成絕緣層；

對所述絕緣層進行刻蝕，形成貫穿所述絕緣層并延伸至所述N型氮化鎵層中的第二通孔（第二次光刻），并在所述第二通孔內填充金屬層形成N型電極。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，形成所述電流擴展層的材料為Ti、Pt、Au、W中的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬支撐層是采用電鍍工藝形成的。

4.根據權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，形成所述金屬支撐層的材料為Ni、Cu、Au、Mo、Mn、Sn中的一種或幾種，其厚度范圍約為40μm~500μm。

5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬種子層是采用電子束蒸發或者磁控濺射工藝形成的。

6.根據權利要求5所述的LED芯片，其特征在于，形成所述金屬種子層的材料為Pd、Pt、Au、W、Ni、Ta、Co、Ti中的一種或幾種，其厚度范圍約為100nm~500nm。

7.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型電極是采用電子束蒸鍍、磁控濺射、電鍍或化學鍍工藝在所述第二通孔中沉積填充金屬層形成的。