[發明專利]鰭式場效應晶體管及其形成方法在審
| 申請號： | 201610980463.8 | 申請日： | 2016-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN108063091A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 周飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 高靜;吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 及其 形成 方法 | ||
1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
刻蝕所述基底，形成襯底以及位于襯底上的鰭部；
在所述鰭部之間的襯底上形成初始隔離層；
對所述初始隔離層進行離子摻雜，在所述初始隔離層中形成停止層，所述停止層的頂部表面低于所述鰭部頂部表面；
去除高于所述停止層的初始隔離層，形成隔離層；
形成橫跨所述鰭部的柵極結構，所述柵極結構覆蓋鰭部部分頂部和側壁表面且覆蓋所述停止層。
2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述對初始隔離層進行離子摻雜步驟包括：對所述初始隔離層進行硅離子或者氮離子摻雜。
3.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用離子注入的方式對所述初始隔離層進行離子摻雜。
4.如權利要求3所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的離子源為Si離子，離子注入的能量范圍為15KeV至100KeV，劑量范圍為1E13atom/cm
或者，所述離子注入的離子源為N離子，離子注入的能量范圍為5KeV至80KeV，劑量范圍為1E13atom/cm
5.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述停止層的材料為摻硅氧化物或者摻氮氧化物。
6.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述停止層的厚度為
7.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在形成隔離層之前，對所述初始隔離層進行離子摻雜之后，進行退火工藝處理。
8.如權利要求7所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用快速熱退火或尖峰退火的方式進行所述退火工藝處理。
9.如權利要求7所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火的方式進行所述退火工藝處理，所述尖峰退火的工藝溫度為950℃至1050℃，工藝時間為5秒至20秒。
10.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕所述基底，形成襯底以及位于襯底上的鰭部的步驟包括：在所述基底上形成硬掩膜層；以所述硬掩膜層為掩膜對所述基底進行刻蝕，形成襯底以及位于襯底上的鰭部；
所述形成方法還包括：在形成所述隔離層之后，去除所述硬掩膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
