[發明專利]通過部分熔化升高的源極-漏極的晶體管的脈沖激光退火工藝

有效

• 申請號: 201610979130.3
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN107068753B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: J·詹森;T·加尼;M·劉;H·肯內爾;R·詹姆斯
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L29/165;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張偉;王英

1.一種晶體管，包括：

半導體襯底，其包括被設置在柵極堆疊之下的溝道區；以及

半導體源極/漏極，其耦合至所述溝道區并被設置在所述溝道區的相對端上，其中，所述柵極堆疊被設置于所述相對端之間，其中，所述半導體源極/漏極包括熔化深度以上的超活化摻雜劑區和所述熔化深度以下的活化摻雜劑區，與所述活化摻雜劑區的活化摻雜劑濃度相比，所述超活化摻雜劑區具有較高的活化摻雜劑濃度，其中，所述超活化摻雜劑區內的所述較高的活化摻雜劑濃度是常數，而活化摻雜劑區內的所述活化摻雜劑濃度不是常數。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述熔化深度不接觸所述半導體襯底。

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述超活化摻雜劑區是利用第一半導體材料形成的，并且所述活化摻雜劑區是利用第二半導體材料形成的，其中所述第一半導體材料不同于所述第二半導體材料。

4.根據權利要求3所述的晶體管，其中所述第一半導體材料的熔點比所述第二半導體材料的熔點低。

5.一種晶體管，包括：

半導體襯底，其包括被設置在柵極堆疊之下的溝道區；以及

半導體源極/漏極區，其耦合至所述溝道區并被設置在所述溝道區的相對側上，其中，所述柵極堆疊被設置于所述相對側之間，其中，所述半導體源極/漏極區包括被設置在第二半導體材料上的第一半導體材料，其中所述第一半導體材料的熔點比所述第二半導體材料的熔點低，并且其中所述第一半導體材料具有的摻雜劑濃度是常數，而所述第二半導體材料具有的摻雜劑濃度不是常數。

6.根據權利要求5所述的晶體管，其中，所述第一半導體材料與所述第二半導體材料相比具有較高的活化摻雜劑濃度。

7.根據權利要求5所述的晶體管，其中，所述半導體襯底是利用第三半導體材料形成的，其中所述第三半導體材料不同于所述第二半導體材料。

8.根據權利要求5所述的晶體管，其中，所述第一半導體材料和所述第二半導體材料形成在所述溝道區之上。

9.根據權利要求5所述的晶體管，其中，所述第二半導體材料被形成為與所述溝道區直接相鄰。

10.一種晶體管，包括：

半導體襯底，其包括被設置在柵極堆疊之下的溝道區，所述半導體襯底是利用第一半導體材料形成的；

形成在所述襯底中并位于所述溝道區的相對側上的凹陷；

源極/漏極區，其設置在所述凹陷上并耦合至所述溝道區，所述源極/漏極區是利用第二半導體材料形成的，所述第二半導體材料不同于所述第一半導體材料，所述半導體源極/漏極區包括熔化深度以上的超活化摻雜劑區和所述熔化深度以下的活化摻雜劑區，與所述活化摻雜劑區的活化摻雜劑濃度相比，所述超活化摻雜劑區具有較高的活化摻雜劑濃度，其中，所述超活化摻雜劑區內的所述較高的活化摻雜劑濃度是常數，而活化摻雜劑區內的所述活化摻雜劑濃度不是常數。

11.根據權利要求10所述的晶體管，其中，所述熔化深度不接觸所述半導體襯底。

12.根據權利要求10所述的晶體管，其中，所述超活化摻雜劑區是利用第三半導體材料形成的，并且所述活化摻雜劑區是利用所述第二半導體材料形成的，其中所述第三半導體材料不同于所述第二半導體材料。

13.根據權利要求12所述的晶體管，其中所述第三半導體材料的熔點比所述第二半導體材料的熔點低。