[發明專利]一種臺面型探測器表面鈍化層的生長方法有效
| 申請號： | 201610979004.8 | 申請日： | 2016-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN106356428B | 公開（公告）日： | 2017-11-10 |
| 發明（設計）人： | 葉嗣榮;黃俊龍;趙文伯;樊鵬;王立 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十四研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/101;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙)50221 | 代理人： | 劉佳 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 臺面 探測器 表面 鈍化 生長 方法 | ||
1.一種臺面型探測器表面鈍化層的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在低溫環境下采用等離子體化學氣相沉積工藝在晶圓的臺面結構表面形成SiO2鈍化膜，其中，所述臺面結構底面和頂面的SiO2鈍化膜的厚度大于所述臺面結構側面的SiO2鈍化膜的厚度，所述低溫環境的溫度為300～400℃；
S2：在所述SiO2鈍化膜上涂覆聚酰亞胺膜并對所述聚酰亞胺膜進行梯度固化使所述聚酰亞胺膜致密，所述梯度固化的溫度和時間為90℃和30～60min、120℃和50～80min以及90℃和30～60min；
S3：在所述聚酰亞胺膜上旋涂光刻膠形成光刻膠層，并在所述光刻膠層上形成曝光區域；
S4：對所述曝光區域的光刻膠層進行顯影處理，并對所述曝光區域的聚酰亞胺膜進行腐蝕以暴露出所述SiO2鈍化膜，然后去除所述光刻膠層；
S5：對所述聚酰亞胺膜進行亞胺化處理以使所述聚酰亞胺膜固定在所述SiO2鈍化膜表面；
S6：對所述暴露出的SiO2鈍化膜進行腐蝕以留出電極位置。
2.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述聚酰亞胺膜采用旋涂法涂覆，涂覆轉速為3000～3500rpm。
3.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述光刻膠的旋涂轉速為2500～3000rpm。
4.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述在所述光刻膠層上形成曝光區域的步驟具體為：
對所述光刻膠層進行烘烤和曝光，以形成曝光區域。
5.根據權利要求4所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S4中，在去除光刻膠層時采用丙酮作為去膠劑，光刻膠層的顯影時間為120～130s，聚酰亞胺膜的腐蝕時間為15～20s。
6.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S5中，所述亞胺化處理在氮氣氣氛中進行，處理溫度為350～400℃，處理時間為30～35min。
7.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S6中，SiO2鈍化膜的腐蝕溫度和時間分別為38℃和30～40s。
8.根據權利要求1至7任一項所述的生長方法，其特征在于，在所述步驟S1之前，所述生長方法還包括：
采用丙酮、乙醇、去離子水依次清洗所述晶圓，并在清洗后進行干燥處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-04 .用作轉換器件的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
