[發明專利]兩步法制備釩酸鉍薄膜在審
| 申請號: | 201610977924.6 | 申請日: | 2016-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN106587149A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 郝維昌;張錚;崔丹丹 | 申請(專利權)人: | 北京航空航天大學 |
| 主分類號: | C01G31/00 | 分類號: | C01G31/00;B01J23/22 |
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| 地址: | 100191*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 步法 制備 釩酸鉍 薄膜 | ||
1.一種制備釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:先采用電沉積方法在玻璃基底上沉積碘氧化鉍(BiOI)薄膜,然后利用水熱法,將碘氧化鉍薄膜和偏釩酸銨溶液放入反應釜中,在180℃下反應18小時得到薄膜樣品。
2.根據權利要求1所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:先沉積碘氧化鉍薄膜,再水熱法合成釩酸鉍。
3.根據權利要求1所述的碘氧化鉍薄膜的制備方法,其特征在于:將碘化鉀作為碘源,溶于去離子水中,濃度為0.4mol/L;五水合硝酸鉍作為鉍源,在上述溶液中加入五水合硝酸鉍,濃度為0.04mol/L。攪拌至溶液澄清,加入1mol/L的稀HNO3溶液,使pH值約為1.7。將對苯醌溶于無水乙醇中,濃度為0.23mol/L,加入上述溶液中。所配的溶液作為電解液,用電化學沉積法制備碘氧化鉍薄膜。工作電壓為-0.1V,沉積時間為300s。
4.根據權利要求1所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:采用水熱法制備釩酸鉍薄膜。配置偏釩酸銨溶液,濃度為0.1mol/L。水熱時間為18h,水熱溫度為180℃。
5.根據權利要求1所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:可以通過電沉積的工作電壓控制碘氧化鉍的厚度。
6.根據權利要求1或5所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:可以通過電沉積的沉積時間控制薄膜的厚度。
7.根據權利要求1所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:可以通過控制水熱反應的溫度和時間控制薄膜的厚度。
8.根據權利要求1所述的釩酸鉍薄膜的制備方法,其特征在于:對釩酸鉍薄膜進行水熱合成的溫度為180℃,時間為18小時。
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