[發明專利]層疊體和聯合體、組合的回收方法和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201610972626.8
• 申請日: 2016-11-03
• 公開（公告）號: CN107011816A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 木村龍一;高本尚英
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J11/00;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

技術領域

本發明涉及層疊體、聯合體、組合的回收方法和半導體裝置的制造方法。

背景技術

半導體背面保護薄膜承擔抑制半導體晶圓的翹曲的作用、保護背面的作用。

已知一體化地處理半導體背面保護薄膜和切割帶的方法。例如，通過在固定在切割帶上的半導體背面保護薄膜固定半導體晶圓，通過切割而形成包括芯片和切割后半導體背面保護薄膜的組合，利用針形件上推切割帶，從而擴張切割帶，從切割帶上剝離組合的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-33636號公報

發明內容

發明要解決的問題

在上述的方法中，有時切割后半導體背面保護薄膜彼此密合直至拾取為止。其原因在于在擴張切割帶之后切割帶收縮(相鄰的切割后半導體背面保護薄膜之間的距離變短)。若切割后半導體背面保護薄膜彼此密合，則拾取的成功率降低。

本發明的目的之一在于提供可以防止切割后半導體背面保護薄膜彼此密合的層疊體。本發明的目的之一在于提供可以防止切割后半導體背面保護薄膜彼此密合的聯合體。本發明的目的之一在于提供可以防止切割后半導體背面保護薄膜彼此密合的方法。

用于解決問題的方案

本發明涉及包括雙面粘合片和配置在雙面粘合片上的半導體背面保護薄膜的層疊體。雙面粘合片包含第一粘合劑層、第二粘合劑層和基材層。基材層位于第一粘合劑層和第二粘合劑層之間。第一粘合劑層具有通過加熱而剝離力降低的性質。第一粘合劑層位于半導體背面保護薄膜和基材層之間。

在將硬質的支撐體固定在第二粘合劑層上對半導體晶圓進行切割時，能夠防止相鄰的切割后半導體背面保護薄膜彼此密合。其原因在于硬質的支撐體不會發生收縮。而且，能夠不發生擴張地從雙面粘合帶上剝離組合。其原因在于第一粘合劑層具有通過熱而剝離力降低的性質。

本發明還涉及包括剝離襯墊和配置在剝離襯墊上的層疊體的聯合體。

本發明還涉及回收包含半導體芯片和固定在半導體芯片上的切割后半導體背面保護薄膜的組合的方法。組合的回收方法包括如下工序：在層疊體中的半導體背面保護薄膜上固定半導體晶圓的工序(A)；在層疊體的第二粘合劑層上固定硬質的支撐體的工序(B)；通過對固定在半導體背面保護薄膜上的半導體晶圓進行切割，從而形成組合的工序(C)；在工序(C)之后加熱雙面粘合片的工序(D)和在工序(D)之后從雙面粘合片上剝離組合的工序(E)。

本發明還涉及包括工序(A)～工序(E)的半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法還包括將組合固定在被粘物上的工序(F)。

附圖說明

圖1是聯合體的平面示意圖。

圖2是聯合體的一部分的截面示意圖。

圖3是半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖4是半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖5是半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖6是半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖7是變形例1中的層疊體的截面示意圖。

圖8是變形例2中的層疊體的截面示意圖。

圖9是變形例3中的聯合體的一部分的截面示意圖。

附圖標記說明

1聯合體

11 半導體背面保護薄膜

12 雙面粘合片

121第一粘合劑層

122第二粘合劑層

123基材層

13 剝離襯墊

14 剝離襯墊

71 層疊體

4半導體晶圓

5組合

6被粘物

8支撐體

41 半導體芯片

51 凸塊

61 導電材料

111切割后半導體背面保護薄膜

125第三粘合劑層

126橡膠狀有機彈性層

具體實施方式

以下列舉實施方式詳細說明本發明，但本發明不限定于這些實施方式。

[實施方式1]

(聯合體1)