[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610971725.4 | 申請日: | 2016-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN106876426B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李晙碩;金世埈 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
公開了一種根據(jù)實施方案的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機發(fā)光顯示裝置包括:陽極電極,其在限定在基板上的多個像素中的每一個中;在陽極電極上的堤部和有機發(fā)光層;在有機發(fā)光層上的陰極電極;以及連接至陰極電極的輔助電極。輔助電極布置在堤部上,從而輔助電極設(shè)置在與陽極電極不同的層上。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2015年10月29日提交的韓國專利申請第10-2015-0151375號的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用并入本文中,就好像在本文中完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置,更具體地,涉及頂部發(fā)光型透明有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置并且具有低功耗、快速響應(yīng)時間、高發(fā)光效率、高亮度、以及寬視角?;趶挠袡C發(fā)光裝置發(fā)射的光的透射方向,有機發(fā)光顯示裝置分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中,電路元件設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間,并且為此,開口率降低。另一方面,在頂部發(fā)光型中,電路元件沒有設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間,并且由此,開口率增強。
圖1是示出了相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。如圖1中所示,可以在基板10上的有源區(qū)AA中形成薄膜晶體管(TFT)層T、鈍化層20,第一平坦化層31、第二平坦化層32、第一陽極電極40、第二陽極電極60、第一輔助電極50、第二輔助電極70、堤部80、隔壁92、有機發(fā)光層94、以及陰極電極96。
TFT層T包括有源層11、柵極絕緣層12、柵電極13、層間電介質(zhì)14、源電極15、以及漏電極16。第一陽極電極40和第一輔助電極50形成在第一平坦化層31上,并且第二陽極電極60和第二輔助電極70形成在第二平坦化層32上。第一輔助電極50連同第二輔助電極70一起減小陰極電極96的電阻。
堤部80形成在第二陽極電極60和第二輔助電極70上以限定像素區(qū),并且有機發(fā)光層94形成在由堤部80限定的像素區(qū)中。陰極電極96形成在有機發(fā)光層94上。
隔壁92形成在第二輔助電極70上。隔壁92與堤部80間隔一定距離,并且第二輔助電極70和陰極電極96通過隔壁92與堤部80之間的間隔空間而彼此連接,以減小陰極電極96的電阻。
在頂部發(fā)光型中,從有機發(fā)光層94發(fā)射的光通過陰極電極96被釋放。因此,陰極電極96由透明導(dǎo)電材料形成,并且為此,陰極電極96的電阻高。為了降低陰極電極96的電阻,陰極電極96連接至第一輔助電極50和第二輔助電極70。
特別地,在圖1中所示的相關(guān)技術(shù)的有機發(fā)光顯示裝置中,形成有彼此連接的兩個輔助電極(例如,第一輔助電極50和第二輔助電極70)用于減小陰極電極96的電阻。在這種情況下,第二輔助電極70與第二陽極電極60形成在同一層上,并且由此,如果第二輔助電極70的寬度被擴大以減小陰極電極96的電阻,則第二輔助電極60的寬度應(yīng)減小。在這種情況下,顯示裝置的像素區(qū)減小,并且為此,存在對可以擴大第二輔助電極70的寬度的量的限制。因此,在相關(guān)技術(shù)中,為了解決該問題,第一輔助電極50附加地形成在第二輔助電極70下方,從而減小陰極電極96的電阻而像素區(qū)沒有減小。
相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置具有以下問題。在包括透光部和發(fā)光部的透明有機發(fā)光顯示裝置中,透光部應(yīng)形成為使透光率最大化,并且對此,所有元件應(yīng)堆疊在發(fā)光部中。然而,當TFT層T堆疊在發(fā)光部中時,難以使得輔助電極以合適的方式堆疊在發(fā)光部中,并且為此,輔助電極應(yīng)與TFT層T分開堆疊。應(yīng)垂直堆疊兩個輔助電極用于在有限空間中堆疊兩個輔助電極。另外,由于使用分別的掩模用于在一個之上堆疊另一個地堆疊兩個輔助電極,所以掩模的數(shù)量增加,并且為此,制造工藝變得復(fù)雜。因此,需要有效地減小陰極電極96的電阻而不增加掩模數(shù)量的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





