[發明專利]用于多重樣式化的方法在審
| 申請號: | 201610971080.4 | 申請日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN107016149A | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發明(設計)人: | 林彥宏;劉欽洲;王中興;胡琦偉 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 多重 樣式 方法 | ||
技術領域
本發明實施例涉及依次使用兩個或多于兩個的不同掩模在襯底的單層上形成圖案的用于多重樣式化的方法。
背景技術
多重曝光或多重樣式化技術(multi-patterning technology,MPT)涉及依次使用兩個或多于兩個的不同掩模在襯底的單層上形成圖案。如果僅兩個掩模用于對層進行樣式化,那么該技術被稱作雙重曝光。雙重曝光的一種形式被稱作雙重樣式化技術(double patterning technology,DPT)。在DPT中,依次使用第一掩模和第二掩模以樣式化同一層。只要每個掩模內的圖案符合針對技術節點的相關最小間隔距離,則使用兩種掩模形成的圖案的組合可能包含與最小間隔距離相比更小的間隔。MPT允許線段,并且在一些情況下,在同一掩模上由垂直區段和水平區段形成更加復雜的形狀。因此,在總體IC布局中,MPT提供靈活性并且通常便於顯著簡化。
發明內容
本發明實施例提出一種用于多重樣式化的方法。該方法包含以下操作。將沖突圖中的多個頂點分類到第一團集以及第二團集中,其中沖突圖對應于電路的布局。合并多個頂點的第一頂點與多個頂點的第二頂點,以產生簡化圖,其中第一團集不包括第二頂點,并且第二團集不包括第一頂點。在布局中,根據簡化圖將多個色彩圖案的第一色彩圖案分配到對應于第一頂點的第一圖案,并且分配到對應于第二頂點的第二圖案。
附圖說明
當結合附圖閱讀時,從以下詳細描述最好地理解本發明的各方面。應注意,根據行業中的標準慣例,各種特征未按比例繪制。實際上,為了論述清楚起見,可以任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是根據本發明的一些實施例的設計系統的示意圖。
圖2A是根據本發明的一些實施例的電路的布局的示意圖。
圖2B是根據本發明的一些實施例對應于在圖2A中的布局的沖突圖。
圖3是根據本發明的一些實施例的方法的流程圖。
圖4是根據本發明的一些實施例的根據圖2B中的沖突圖產生的簡化圖。
圖5A是根據本發明的一些其它實施例對應于電路的布局的沖突圖的示意圖。
圖5B是根據本發明的一些其它實施例根據圖5A中的沖突圖產生的簡化圖的示意圖。
圖6A是根據本發明的一些其它實施例對應于電路的布局的沖突圖的示意圖。
圖6B是根據本發明的一些其它實施例根據圖6A中的沖突圖產生的簡化圖的示意圖。
圖7A是根據本發明的一些其它實施例對應于電路的布局的沖突圖的示意圖。
圖7B是根據本發明的一些其它實施例根據圖7A中的沖突圖產生的簡化圖的示意圖。
附圖標號說明
100:設計系統
110:處理器
120:存儲器
130:輸入/輸出接口
200:布局
200A、500、600、700:沖突圖
201、202、203、204、205:圖案
21、22、23、24、25、26、27、28、29:邊緣
51、71:邊緣
300:方法
400、500A、600A、700A:簡化圖
S310、S320、S330、S340、S350、S360、S370:操作
K1、K2:團集
A、B、C、D、E、F:頂點
D1:距離
具體實施方式
以下揭示內容提供用于實施所提供標的的不同特征的許多不同實施例或實例。后述的描述組件和布置的具體實例是為了以簡化的方式傳達本發明為目的。當然,這些組件和布置僅為實例且并不意圖用于限制本發明。舉例來說,在以下描述中,在第一特征上方或在第一特徵上形成第二特征可包含第一特征和第二特征形成直接接觸的實施例,且還可包含在第一特征與第二特征之間可形成的額外特征使得第一特征和第二特征可不直接接觸的實施例。另外,本發明在各種實例中可重復使用參考標號和/或字母。參考標號和/或字母的重復是出于簡單性和清晰性的目的,且并不代表所論述的各種實施例和/或配置本身之間的關系。
本說明書中使用的術語大體上具有其在本領域中的一般含義以及使用的每一術語在特定上下文中的一般含義。在本說明書中使用實例(包含本文中所論述的任何術語的實例)僅是說明性的,而不是用于限制本發明或任何所例示術語的范圍和含義。同樣地,本發明不限于本說明書中給出的各種實施例。
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