[發(fā)明專利]具散熱座及雙增層電路的散熱增益型半導(dǎo)體組件及其制法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610971012.8 | 申請日： | 2016-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN107230640A | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林文強(qiáng);王家忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 散熱 雙增層 電路 增益 半導(dǎo)體 組件 及其 制法 | ||
1.一種散熱增益型半導(dǎo)體組件的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有一凹穴的一散熱座；
提供一半導(dǎo)體次組件，其包括：
提供一半導(dǎo)體元件；
提供一第一增層電路于一犧牲載板上，其中該第一增層電路可拆分式地接置于該犧牲載板上；及
借由多個凸塊，將該半導(dǎo)體元件電性耦接至該第一增層電路；
借由一黏著劑，將該半導(dǎo)體次組件貼附至該散熱座，并使該半導(dǎo)體元件插入該凹穴，且該第一增層電路側(cè)向延伸于該凹穴外；
自該第一增層電路移除該犧牲載板；以及
形成一第二增層電路于該散熱座及該第一增層電路上，其中該第二增層電路借由導(dǎo)電盲孔，電性耦接至該第一增層電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，電性耦接該半導(dǎo)體元件至該第一增層電路的該步驟以面板規(guī)模進(jìn)行，并且于貼附該半導(dǎo)體次組件至該散熱座的該步驟前執(zhí)行一單片化步驟，以分離個別的半導(dǎo)體次組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，該第一增層電路包括第一接觸墊及第二接觸墊分別于其相反的第一表面及第二表面處，所述第一接觸墊與所述導(dǎo)電盲孔電性耦接，而所述第二接觸墊則連接至所述凸塊，且所述第二接觸墊的墊間距小于所述第一接觸墊的墊間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，該散熱座還包括位于該凹穴外的一定位件，并且該半導(dǎo)體次組件借由該定位件側(cè)向?qū)?zhǔn)與靠近該第一增層電路的外圍邊緣，以貼附至該散熱座。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其中，提供該散熱座的該步驟包括：
提供一金屬板；
于該金屬板中形成該凹穴；以及
移除該金屬板的一選定部位，或于該金屬板上沉積金屬或塑料材料的圖案，以于該凹穴周圍形成該定位件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其中，提供該散熱座的該步驟包括：
提供一層壓基板，其包括一介電層及一金屬板；
借由移除該介電層上的該金屬層選定部位，或是借由于該介電層上沉積金屬或塑料材料的圖案，以于該介電層上形成該定位件；以及
形成該凹穴，其延伸穿過該介電層，并選擇性延伸進(jìn)入該金屬板中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，該散熱座還包括位于該凹穴內(nèi)的一定位件，并且該半導(dǎo)體次組件借由該定位件側(cè)向?qū)?zhǔn)與靠近該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，以貼附至該散熱座。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，提供該散熱座的該步驟包括：
提供一金屬板；
借由移除該金屬板的選定部位，或是借由于該金屬板上沉積金屬或塑料材料的圖案，以于該金屬板的一表面處形成該定位件；以及
于該金屬板上提供一基層，并使該定位件位于該基層的一開口中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，自該第一增層電路移除該犧牲載板的該步驟包括化學(xué)蝕刻或機(jī)械剝離方式。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，該第二增層電路包括額外導(dǎo)電盲孔，其電性耦接至該散熱座，并與該散熱座熱性導(dǎo)通。
11.一種散熱增益型半導(dǎo)體組件，其特征在于，借由下述步驟制成：
提供具有一凹穴的一散熱座；
提供一半導(dǎo)體次組件，其包括：
提供一半導(dǎo)體元件；
提供一第一增層電路于一犧牲載板上，其中該第一增層電路可拆分式地接置于該犧牲載板上；及
借由多個凸塊，將該半導(dǎo)體元件電性耦接至該第一增層電路；
借由一黏著劑，將該半導(dǎo)體次組件貼附至該散熱座，并使該半導(dǎo)體元件插入該凹穴，且該第一增層電路側(cè)向延伸于該凹穴外；
自該第一增層電路移除該犧牲載板；以及
形成一第二增層電路于該散熱座及該第一增層電路上，其中該第二增層電路借由導(dǎo)電盲孔，電性耦接至該第一增層電路。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
