[發明專利]介電陶瓷組合物、多層陶瓷電容器及其制造方法有效
| 申請號: | 201610970976.0 | 申請日: | 2016-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN106941045B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 尹碩晛;李丞鎬;徐正旭;全松濟 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12;H01G4/30;C04B35/468 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 包國菊;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 組合 多層 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種介電陶瓷組合物,包括第一主要成分的BaTiO3和第二主要成分的BaTi2O5,
其中,包含第一主要成分和第二主要成分的基體材料粉末由(1-x)BaTiO3-xBaTi2O5來表示,且x滿足0.1≤x≤0.8。
2.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物還包括第一輔助成分,
其中,第一輔助成分包含從由錳、釩、鉻、鐵、鎳、鈷、銅和鋅組成的組中選擇的一種或更多種可變價受體元素的氧化物或碳酸鹽,
第一輔助成分中包含的所述一種或更多種可變價受體元素的總含量為0.2at%至5.0at%。
3.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物還包括第二輔助成分,
其中,第二輔助成分包含從由Ba的氧化物和碳酸鹽組成的組中選擇的一種或更多種,
第二輔助成分的含量基于100mol的基體材料粉末為0.2mol至10.0mol。
4.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物還包括第三輔助成分,
其中,第三輔助成分包含從由Si的氧化物、Si的碳酸鹽和含有Si的玻璃組成的組中選擇的一種或更多種,
第三輔助成分的含量基于100mol的基體材料粉末為0.2mol至5.0mol。
5.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物還包括第四輔助成分,
其中,第四輔助成分包含從由Y、Dy、Ho、La、Ce、Nd、Sm、Gd和Er組成的組中選擇的一種或更多種稀土元素的氧化物或碳酸鹽,
第四輔助成分中包含的所述一種或更多種稀土元素的總含量為0.5at%至10.0at%。
6.如權利要求1所述的介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物還包括第五輔助成分,
其中,第五輔助成分包含從由包括Mg的固定價受體元素的氧化物和碳酸鹽組成的組中選擇的一種或更多種,
第五輔助成分的含量基于100mol的基體材料粉末為0.5mol至5.0mol。
7.一種多層陶瓷電容器,包括:
陶瓷主體,包括介電層和內電極;
外電極,設置在陶瓷主體的外部上并連接到內電極,
其中,介電層包括第一晶粒和第二晶粒,
第一晶粒為Ti/Ba的含量比小于1.5的晶粒,第二晶粒為Ti/Ba的含量比為1.5至2.5的晶粒,
第二晶粒的面積與總面積的比為9.5%至81.4%。
8.如權利要求7所述的多層陶瓷電容器,其中,所述介電層包含第一主要成分的BaTiO3和第二主要成分的BaTi2O5,
包含第一主要成分和第二主要成分的基體材料粉末由(1-x)BaTiO3-xBaTi2O5來表示,且x滿足0.1≤x≤0.8。
9.如權利要求7所述的多層陶瓷電容器,其中,所述內電極包含Ni。
10.如權利要求7所述的多層陶瓷電容器,其中,所述多層陶瓷電容器具有1E11Ohm-cm或更大的室溫電阻率、200℃下50V/μm或更大的高溫耐受電壓、150℃下小于±15%的電容溫度系數、200℃下小于±22%的電容溫度系數以及150或更大的室溫介電常數。
11.一種制造多層陶瓷電容器的方法,所述方法包括:
使用包含第一主要成分的BaTiO3和第二主要成分的BaTi2O5的基體材料粉末制造多個陶瓷片;
使用導電膏在兩個或更多個陶瓷片上印刷內電極,堆疊并壓制陶瓷片以制造壓制的棒;
切割壓制的棒以制造片;
在還原氣氛下燒結片,
其中,基體材料粉末由(1-x)BaTiO3-xBaTi2O5來表示,且x滿足0.1≤x≤0.8。
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