[發明專利]一種MEMS器件及制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201610970644.2
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN108002340A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 王強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

MEMS襯底；

MEMS元件，形成于所述MEMS襯底上，其中，所述MEMS元件包括功能材料層；

接觸焊盤，與所述功能材料層電連接并用作封裝時的外連接；

其中，所述接觸焊盤內嵌設置于所述功能材料層中并僅露出所述接觸焊盤的頂部。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述接觸焊盤包括依次設置的Cr層和Au層。

3.根據權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述接觸焊盤的頂部與所述功能材料層的頂部平齊。

4.根據權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS元件包括MEMS麥克風，所述MEMS麥克風包括：

振膜，位于所述MEMS襯底上；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之間；

其中，所述接觸焊盤形成于所述振膜和/或所述背板中。

5.根據權利要求4所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS麥克風還包括：

背腔，位于所述MEMS襯底的背面，露出所述振膜；

聲孔，位于所述背板中。

6.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供MEMS襯底；

在所述MEMS襯底上形成MEMS元件，其中，所述MEMS元件包括功能材料層；

在所述功能材料層中形成接觸焊盤，以與所述功能材料層電連接并用作封裝時的外連接；

其中，所述接觸焊盤內嵌設置于所述功能材料層中并僅露出所述接觸焊盤的頂部。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述接觸焊盤包括依次設置的Cr層和Au層。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述功能材料層中形成接觸焊盤的方法包括：

圖案化所述功能材料層，以在所述功能材料層的表面形成凹槽；

在所述凹槽中形成第一接觸層，以部分填充所述凹槽；

在所述凹槽中所述第一接觸層的上方形成第二接觸層，以完全填充所述凹槽。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一接觸層和所述第二接觸層的方法包括：

在所述功能材料層和所述凹槽中形成第一接觸材料層，以覆蓋所述功能材料層和所述凹槽；

圖案化所述第一接觸材料層，以去除所述功能材料層上以及所述凹槽側壁上的所述第一接觸材料層，以形成所述第一接觸層；

在所述功能材料層和所述第一接觸層上形成第二接觸材料層，以覆蓋所述功能材料層和所述第一接觸層并完全填充所述凹槽；

蝕刻所述第二接觸材料層至所述功能材料層的頂部，以在所述凹槽中形成所述第二接觸層。

10.根據權利要求6或9所述的方法，其特征在于，所述MEMS元件包括MEMS麥克風，形成所述MEMS麥克風的方法包括：

在所述MEMS襯底上形成圖案化的振膜；

在所述振膜上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成覆蓋所述犧牲層的背板；

在所述振膜和/或所述背板上形成所述接觸焊盤；

在所述背板中形成聲孔，以露出所述犧牲層；

通過緩沖蝕刻的方法去除所述犧牲層，以在所述背板和所述振膜之間形成空腔。

11.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求1至5之一所述的MEMS器件。