[發(fā)明專利]一種對化合物半導(dǎo)體器件生長程序的文件轉(zhuǎn)換方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610970630.0
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN106649216B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張瑋;陸宏波;李欣益;張夢炎;張華輝;楊丞;陳杰;張建琴;鄭奕
• 申請（專利權(quán)）人: 上海空間電源研究所
• 主分類號: G06F17/22
• 分類號: G06F17/22;G06F17/50
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周乃鑫;周榮芳

1.一種對化合物半導(dǎo)體器件生長程序的文件轉(zhuǎn)換方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟S1、建立化合物半導(dǎo)體器件生長程序所涉及的各個半導(dǎo)體材料層的參數(shù)庫，以參數(shù)文件語法規(guī)則存儲各層半導(dǎo)體材料的參數(shù)庫形成各個半導(dǎo)體材料層的參數(shù)文件，對參數(shù)文件編號形成參數(shù)庫索引文件；

步驟S2、建立化合物半導(dǎo)體器件生長程序中不同過程的讀取語法規(guī)則，通過該讀取語法規(guī)則分析化合物半導(dǎo)體器件生長程序中材料生長層的參數(shù)狀態(tài)，生成各個半導(dǎo)體材料層的特征說明對象，搜索參數(shù)庫索引文件并將參數(shù)文件讀取到器件結(jié)構(gòu)描述文件中；

步驟S3、讀取并分析工藝文件，根據(jù)工藝文件信息確定外界施加工作條件的方向，將工藝文件中的器件幾何特征與工作條件直接附加在器件結(jié)構(gòu)描述文件中；

步驟S4、讀取并分析器件結(jié)構(gòu)附加說明文件，根據(jù)附加說明文件特征確定各附加物理對象的位置、特征，并將相關(guān)特征按照器件結(jié)構(gòu)附加說明文件的語法規(guī)則附加在器件結(jié)構(gòu)描述文件中；

步驟S5、讀取并分析器件結(jié)構(gòu)數(shù)值特征說明文件，根據(jù)數(shù)值特征說明文件特征確定數(shù)值分析的控制參數(shù)，并將相關(guān)特征按照器件結(jié)構(gòu)描述文件的語法規(guī)則附加在器件結(jié)構(gòu)描述文件中；

步驟S6、確定所讀取的器件結(jié)構(gòu)描述文件的輸出語法規(guī)則，將器件結(jié)構(gòu)描述文件輸出成數(shù)值仿真分析軟件容易讀取的文件。

2.如權(quán)利要求1所述的對化合物半導(dǎo)體器件生長程序的文件轉(zhuǎn)換方法，其特征在于，所述的參數(shù)庫對應(yīng)數(shù)值仿真分析軟件中主導(dǎo)載流子輸運特性的偏微分方程組涉及的物理對象中所包含的參數(shù)，所述的物理對象中所包含的參數(shù)包含以下四類：

1、能帶參數(shù)，包含介電常數(shù)、能帶寬度、導(dǎo)帶/價帶帶邊態(tài)密度、自發(fā)輻射系數(shù)、Auger復(fù)合系數(shù)、離化系數(shù)；

2、電學(xué)參數(shù)，包含遷移率、電導(dǎo)率；

3、缺陷參數(shù)，包含缺陷類型、缺陷數(shù)目、缺陷電子學(xué)參數(shù)；其中，所述的缺陷類型是指表面/體內(nèi)、離散/連續(xù)分布；所述的缺陷電子學(xué)參數(shù)包含缺陷的坐標空間分布函數(shù)、能量空間分布函數(shù)、缺陷物理特征參數(shù)；所述的缺陷物理特征參數(shù)存在兩種表述形式：a、動力學(xué)參數(shù)，包含能級位置、缺陷濃度、電子/空穴俘獲截面、能級簡并度；b、復(fù)合模型參數(shù)，包含能級位置、電子/空穴復(fù)合壽命；

4、異質(zhì)結(jié)界面與表面參數(shù)，包含兩種不同的化合物半導(dǎo)體材料的界面缺陷特性和材料表面特性；

所述的參數(shù)文件語法規(guī)則包含材料層的各物理對象描述的語法規(guī)則，以及異質(zhì)結(jié)界面與表面物理對象描述的語法規(guī)則；

所述的參數(shù)文件中關(guān)于材料層的各物理對象描述的語法規(guī)則為：

能帶參數(shù)、電學(xué)參數(shù)、缺陷參數(shù)的語法規(guī)則均為[參數(shù)類型]參數(shù)名字：{花括號內(nèi)成員變量說明}，具體如下：

[能帶參數(shù)]：參數(shù)名字；

{

[分布函數(shù)]介電常數(shù)：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

[分布函數(shù)]能帶寬度：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

…

}

[電學(xué)參數(shù)]：名字；

{

[分布函數(shù)]遷移率：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

[分布函數(shù)]電導(dǎo)率：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

…

}

[缺陷類型1]：缺陷名字；

{

[分布函數(shù)]坐標空間：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

[分布函數(shù)]能量空間：函數(shù)類型＝xx；表達式＝xx；

[動力學(xué)參數(shù)]：能級位置＝xx；…

[復(fù)合模型參數(shù)]：能級位置＝xx；…

}

[缺陷類型2]：缺陷名字；

{

…

}

所述的參數(shù)文件中關(guān)于異質(zhì)結(jié)與表面物理對象描述的語法規(guī)則為：

1、異質(zhì)結(jié)，取兩邊材料名字，中間用？連接；

2、表面，取材料名字附加O表示。

3.如權(quán)利要求2所述的對化合物半導(dǎo)體器件生長程序的文件轉(zhuǎn)換方法，其特征在于，所述的參數(shù)庫索引文件中的參數(shù)文件索引語法規(guī)則為：各個半導(dǎo)體材料層的參數(shù)文件編號：以固定的語法規(guī)則描述材料層基本特征的屬性說明；

所述的以固定的語法規(guī)則描述材料層基本特征的屬性說明的語法規(guī)則為：按照字母順序的材料組成原子_與組成原子相對應(yīng)的三位組分_摻雜種類及數(shù)目_摻雜特性_摻雜濃度_附加說明。