[發明專利]發光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置

有效

• 申請號: 201610969944.9
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN106875887B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 矢野壯;飯島成幸;松尾隆宏;植村昂紀;谷山彰
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達株式會社
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/3233;G03G15/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 胡金瓏

提供防止TFT的Vsdd?Id特性和OLED的正向電壓Vel的分散引起的光量分散的發光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置。在向在TFT的漏極端子上連接了OLED的串聯電路施加規定電壓而使其發光的裝置中，在每次使OLED發光時，估計用于使其以設定光量發光的OLED的正向電壓Vel及驅動電流量Id、以及TFT的源極?漏極電壓Vsd，根據TFT的Vsd?Id特性，決定與驅動電流量Id和源極?漏極電壓Vsd對應的TFT的柵極?源極電壓Vgs。將這樣決定的柵極?源極電壓Vgs施加給TFT，能夠防止非飽和區域中的Vsd?Id特性引起的OLED的光量的分散。

技術領域

本發明涉及發光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置，涉及以較高的精度來控制使用薄膜晶體管被電流驅動的發光元件的光量的技術。

背景技術

電子照相方式的圖像形成裝置為了在一致帶電的感光體表面形成靜電潛像而具備光寫入裝置。光寫入裝置響應于圖像形成裝置的小型化的需求，從以激光二極管為發光源的光掃描型，正在切換為將微小點(dot)的發光元件配置為線狀的線光學型。進而，線光學型的光寫入裝置中，若使用半導體LED(發光二極管(Light Emitting Diode))作為發光元件，則LED陣列和用于控制各發光元件的驅動電路成為不同基板，所以現狀下必須高成本。

另一方面，若采用有機LED(OLED：Organic LED)作為發光元件，則能夠將LED陣列和驅動電路形成于同一基板，因此能夠將光寫入裝置低成本化。

但這樣的光寫入裝置(OLED-PH：OLED打印頭(OLED Print Head))通過點亮在主掃描方向上多個(例如，15000個)排列的發光元件來進行光寫入，所以若在發光元件間光量存在不均，則在靜電潛像、進而調色劑像中產生主掃描方向上的濃度不均，不能達成優良的畫質。

在使用了OLED的顯示器裝置中，光量分散被允許至30％，相對于此，在OLED-PH中，對于光量分散的要求精度高，即使小于1％的光量分散也必須進行校正。進而，在消除光量分散時，為了產生能夠將光寫入裝置低成本化這樣的OLED的優點，優選不使用光傳感器。

在消除發光元件的光量不均的技術中，例如存在如下的現有技術。即，如圖14所示，首先在寫入期間中，將用于使發光元件1401以電流DAC(數字模擬轉換器(Digital toAnalogue Converter))期望的光量發光的驅動電流Id強制性地流過對向發光元件1401供應的驅動電流量進行控制的薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)1402，將在TFT1402的漏極端子和柵極端子之間產生的電位差Vdg存儲至電容器1403。

在發光期間中，將在電容器1403中存儲的電壓Vdg施加在TFT1402的柵極端子和漏極端子之間，使發光元件1401以期望的光量發光(例如，參照專利文獻1)。

在TFT1402的閾值電壓Vth中存在初始分散，進而，TFT1402的漏極電流Id與閾值電壓Vth處于大致成比例的關系。因此，即使施加與TFT1402相同的電壓Vdg，被供應的驅動電流Id發生分散，發光元件1401的光量變得不一定。

相對于此，根據本現有技術，將用于供應用于使發光元件1401以期望的光量發光的驅動電流Id的電壓Vdg存儲至電容器1403，在發光期間將電壓Vdg施加給TFT1402，因此能夠抑制發光元件1401的光量的分散。

此外，在其他的現有技術中，預先使全部發光元件以同一條件發光而存儲每個發光元件的光量，根據所存儲的光量對每個發光元件校正驅動條件(參照專利文獻2)。據此，即使在發光元件的發光效率α中存在分散，減少在同一條件下發光的情況下光量多的發光元件的驅動電流，關于光量少的發光元件，增多驅動電流等，對驅動條件進行校正，因此能夠抑制光量分散。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：(日本)特開2010-200514號公報