[發明專利]OLED封裝結構與OLED封裝方法有效
| 申請號: | 201610969589.5 | 申請日: | 2016-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN106384789B | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發明(設計)人: | 唐凡 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 封裝 結構 方法 | ||
1.一種OLED封裝結構,其特征在于,
包括封裝單元和沉積有OLED器件的柔性基板;所述封裝單元包括依次層疊于所述OLED器件之上的第一封裝層、第一有機層和第二封裝層,所述第一封裝層與所述第二封裝層均由無機材料制成;所述第一封裝層包括第一像素區域與第一像素限定區域,所述第一像素區域的膜厚大于所述第一像素限定區域的膜厚,且所述第一像素限定區域的膜厚由所述第一像素限定區域的邊緣到內部逐漸減小;所述第二封裝層包括與所述第一像素區域對應的第二像素區域,以及與所述第一像素限定區域對應的第二像素限定區域,所述第二像素區域的膜厚小于所述第二像素限定區域的膜厚,且所述第二像素區域的膜厚由所述第二像素區域的邊緣到內部逐漸減小。
2.根據權利要求1所述的OLED封裝結構,其特征在于,
所述封裝單元還包括依次層疊于所述第二封裝層上的第二有機層和第三封裝層,所述第三封裝層由無機材料制成;所述第三封裝層包括與所述第一像素區域對應的第三像素區域,以及與第一像素限定區域對應的第三像素限定區域,所述第三像素區域的膜厚大于所述第三像素限定區域的膜厚,且所述第三像素限定區域的膜厚由所述第三像素限定區域的邊緣到內部逐漸減小。
3.根據權利要求1或2所述的OLED封裝結構,其特征在于,所述封裝單元還包括設在所述OLED器件之上的無機層,所述無機層位于所述OLED器件與所述第一封裝層之間。
4.根據權利要求1所述的OLED封裝結構,其特征在于,所述封裝單元還包括設在所述第二封裝層之上的阻擋膜。
5.根據權利要求1或2所述的OLED封裝結構,其特征在于,所述第一像素區域完全覆蓋其所對應的像素區,且所述第一像素區域的面積大于所述像素區的面積,所述像素區內包括一個或兩個以上所述OLED器件。
6.一種OLED封裝結構,其特征在于,
包括封裝單元和沉積有OLED器件的柔性基板;所述封裝單元包括依次層疊于所述OLED器件上的第一封裝層和第二封裝層,所述第一封裝層與所述第二封裝層均由雜化材料制成;所述第一封裝層包括第一像素區域與第一像素限定區域,所述第一像素區域的膜厚大于所述第一像素限定區域的膜厚,且所述第一像素限定區域的膜厚由所述第一像素限定區域的邊緣到內部逐漸減小;所述第二封裝層包括與所述第一像素區域對應的第二像素區域,以及與第一像素限定區域對應的第二像素限定區域,所述第二像素區域的膜厚小于所述第二像素限定區域的膜厚,且所述第二像素區域的膜厚由所述第二像素區域的邊緣到內部逐漸減小。
7.一種OLED封裝方法,其特征在于,包括:
在柔性基板上沉積有OLED器件的一側設置第一掩膜板,使所述第一掩膜板與所述柔性基板之間具有間距;其中,所述第一掩膜板包括透光部及遮光部,所述第一掩膜板的遮光部包括相對的第一端和第二端,所述第一端的寬度小于所述第二端的寬度,將所述第一掩膜板的遮光部對應所述柔性基板上的像素限定層,所述第一掩膜板的透光部對應所述柔性基板上的像素,并將所述第一端朝向所述OLED器件,所述第二端背向所述OLED器件;
通過所述第一掩膜板在所述OLED器件之上沉積無機材料以形成第一封裝層,之后去除所述第一掩膜板;其中,所述第一封裝層中形成與所述像素對應的第一像素區域,以及與所述像素限定層對應的第一像素限定區域,所述第一像素區域的膜厚大于所述第一像素限定區域的膜厚,所述第一像素限定區域的膜厚由所述第一像素限定區域的邊緣到內部逐漸減小;
在所述第一封裝層之上沉積第一有機層;
在所述第一有機層之上設置第二掩膜板,使所述第二掩膜板與所述柔性基板的之間具有間距;其中,所述第二掩膜板包括遮光部與透光部,所述第二掩膜板的遮光部包括相對的第三端和第四端,所述第三端的寬度小于所述第四端的寬度,將所述第二掩膜板的遮光部對應所述柔性基板上的像素分布區域,所述第二掩膜板的透光部對應所述柔性基板上的像素限定層分布區域,并將所述第三端朝向所述第一有機層,所述第四端背向所述第一有機層;
通過所述第二掩膜板在所述第一有機層之上沉積無機材料以形成第二封裝層,之后去除所述第二掩膜板;其中,所述第二封裝層中形成與所述第一像素區域對應的第二像素區域,以及與所述第一像素限定區域對應的第二像素限定區域,所述第二像素區域的膜厚小于所述第二像素限定區域的膜厚,所述第二像素區域的膜厚由所述第二像素區域的邊緣到內部逐漸減小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





