[發(fā)明專利]一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器及其制造方法

在審

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• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN106785910A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李密鋒;湯寶;羅飚
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司;武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20;H01S5/227
• 代理公司: 深圳市愛迪森知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44341
• 代理人: 何婷

1.一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其特征在于，包括襯底、臺面結(jié)構(gòu)、掩埋結(jié)構(gòu)和電極接觸層，具體的：

所述臺面結(jié)構(gòu)位于所述襯底上；

所述掩埋結(jié)構(gòu)由至少一層第一材料層和至少一層第二材料層構(gòu)成，其中，第一材料層生長于所述襯底上，并且覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)；第二材料層覆蓋于所述第一材料層上，并且第二材料層上對應所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)使得電極接觸層與覆蓋于所述臺面上的第一材料層相接觸；

所述電極接觸層位于所述第二材料層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其特征在于，所述第一材料層為P型層，所述第二材料層為N型層，其中，第一材料層覆蓋于所述臺面結(jié)構(gòu)上，并且第一材料層覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域的厚度為第一預設(shè)參數(shù)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其特征在于，所述第一預設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其特征在于，所述第一材料層與襯底之間設(shè)置有一層絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其特征在于，所述臺面結(jié)構(gòu)包括N型包層、有源區(qū)和P型包層，其中，N型包層生長于所述襯底上，P型包層構(gòu)成所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域。

6.一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次生長組成臺面結(jié)構(gòu)的各層材料，通過掩膜腐蝕形成臺面結(jié)構(gòu)；

去除掩膜，在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預設(shè)參數(shù)值；

在所述第一材料層上生長第二材料層，并在所述第二材料層位于臺頂區(qū)域上掩膜腐蝕出溝槽，所述溝槽貫通至所述第一材料層；

在所述第二材料層上生長電極接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其特征在于，所述控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預設(shè)參數(shù)值，具體包括：

定向控制生長區(qū)域，使得第一材料層的生長過程先從襯底之上，且位于臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的區(qū)域開始；

當所述臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)所生長的第一材料高度，相對于臺頂相差所述第一預設(shè)參數(shù)值時，轉(zhuǎn)換所述定向控制生長為全覆蓋模式的區(qū)域生長；

在全覆蓋模式下生長完成第一預設(shè)參數(shù)值厚度的第一材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其特征在于，所述第一預設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其特征在于，在去除掩膜之前，所述方法還包括：

在襯底上生長一層絕緣材料層；

在生長完所述絕緣材料層后，執(zhí)行所述去除掩膜操作，則所述在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，具體執(zhí)行為：

在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上，且位于所述絕緣材料層上生長第一材料層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其特征在于，在所述第一材料層上生長第二材料層之前，所述方法還包括：

對所述第一材料層進行掩膜處理，對掩膜處理后的第一材料層位于臺面結(jié)構(gòu)的頂面區(qū)域上的部分，進行摻雜處理；

去除所述第一材料層上的掩膜，然后進行在所述第一材料層上生長第二材料層的操作。