[發(fā)明專利]具有變化的視角的光控制膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610969140.9 | 申請日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN108022996A | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | A·J·奧德基爾克;M·J·西科拉;R·R·凱史克;K·L·史密斯;O·小本森;G·E·蓋德斯;劉濤;T·J·布隆;G·T·博伊德 | 申請(專利權(quán))人: | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳文平;徐志明 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 變化 視角 控制 | ||
1.一種光學(xué)構(gòu)造,所述光學(xué)構(gòu)造包括:
太陽能電池,所述太陽能電池包括跨所述太陽能電池延伸的多個電極;以及
光控制膜,所述光控制膜布置在所述太陽能電池上并且具有多個第一光吸收區(qū),各第一光吸收區(qū)具有寬度W、高度H和長度L,H/W≥1,L/H≥20,各第一光吸收區(qū)基本上與所述多個電極中的對應(yīng)電極共延并且對準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述多個電極包括至少一個較寬的電極和至少一個較窄的電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述多個第一光吸收區(qū)基本上嵌入光學(xué)介質(zhì)中,所述光學(xué)介質(zhì)基本上透射所述第一預(yù)定波長范圍中的光并且具有第一折射率,各第一光吸收區(qū)基本上吸收所述第一預(yù)定波長范圍中的光并且具有小于所述第一折射率的第二折射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述光學(xué)介質(zhì)透射至少70%的所述第一預(yù)定波長范圍中的光,并且各第一光吸收區(qū)吸收至少70%的所述第一預(yù)定波長范圍中的光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述多個電極中的至少一些電極基本上是光學(xué)不透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)造,其中各第一光吸收區(qū)與垂直于所述光控制膜的線形成范圍為約5度至約40度的角。
7.一種光學(xué)構(gòu)造,所述光學(xué)構(gòu)造包括:
太陽能電池;以及
光控制膜,所述光控制膜布置在所述太陽能電池上并且沿所述光控制膜的長度和寬度基本上與所述太陽能電池共延,所述光控制膜具有多個間隔開的基本上平行的第一光吸收區(qū),各第一光吸收區(qū)具有寬度W、高度H和長度L,H/W≥1,L/H≥20,各第一光吸收區(qū)與垂直于所述太陽能電池的線形成范圍為約5度至約40度的角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述光控制膜進(jìn)一步包括與所述多個第一光吸收區(qū)交替的多個第一光透射區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其進(jìn)一步包括形成于其上的供觀察者觀看的第一圖像。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述第一圖像形成于所述光吸收區(qū)和所述光透射區(qū)二者上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述第一圖像形成于所述光透射區(qū)上,但不在所述光吸收區(qū)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述第一圖像包括打印的圖像。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述第一圖像包括偽裝的圖像或圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)構(gòu)造,其鄰近于顯示第二圖像的背景布置,所述第一圖像基本上匹配所述第二圖像,從而基本上掩蓋所述光控制膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述太陽能電池包括多個電極,并且其中至少一個光吸收區(qū)基本上與至少一個電極共延且對準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)構(gòu)造,其中所述太陽能電池包括多個電極,并且其中所述光吸收區(qū)和所述多個電極相對于彼此排列,使得所述第一光吸收區(qū)基本上阻止入射到所述光學(xué)構(gòu)造上的光到達(dá)所述電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





