[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610964631.4
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN107665885B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林季民;廖明文;黃俊穎
• 申請（專利權(quán)）人: 環(huán)旭電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 李琳

1.一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包括：

襯底；

至少一個組件，其位于所述襯底的表面上；

封裝本體，其包封所述至少一個組件；及

電磁干擾EMI屏蔽，其適形地形成在所述封裝本體上，所述EMI屏蔽具有界定第一開口的第一側(cè)部，其中所述第一開口具有由0.026λ≦L₁≦0.155λ決定的第一長度L₁，且λ為與所述半導(dǎo)體裝置封裝的操作頻率相關(guān)的波長，且所述操作頻率在從5.180GHz到5.825GHz的范圍中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述第一開口具有高度，其中所述第一長度大于所述高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述第一長度進一步由0.029λ≦L₁≦0.139λ決定。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述EMI屏蔽在所述第一側(cè)部上進一步界定第二開口，其中所述第二開口具有第二長度L₂，所述第一長度L₁及所述第二長度L₂的和L_s是由0.026λ<L_s≦0.155λ決定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述EMI屏蔽在所述第一側(cè)部上進一步界定多個第二開口，其中所述多個第二開口中的每一者具有第二長度L₂，所述第一長度L₁及所述第二長度L₂的和L_s是由0.026λ<L_s≦0.155λ決定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述EMI屏蔽進一步包括連接到所述第一側(cè)部的第二側(cè)部，且所述EMI屏蔽在所述第二側(cè)部上進一步界定第二開口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述EMI屏蔽進一步包括與所述第一側(cè)部相對的第二側(cè)部，且所述EMI屏蔽在所述第二側(cè)部上進一步界定第二開口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述EMI屏蔽進一步包括連接到所述第一側(cè)部的第二側(cè)部，且所述EMI屏蔽在所述第二側(cè)部上進一步界定第二開口，其中所述第一開口及所述第二開口經(jīng)形成鄰近于由所述第一側(cè)部及所述第二側(cè)部結(jié)合的拐角。

9.一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包括：

襯底，其包含頂部表面及正交于所述頂部表面的側(cè)向表面；

電路，其位于所述襯底的頂部表面上，所述電路經(jīng)配置以用于在第一頻率下操作；

封裝本體，其包封所述電路且包含側(cè)向表面；及

適形屏蔽，其位于所述封裝本體上且覆蓋所述封裝本體的所述側(cè)向表面，所述適形屏蔽界定第一開口，其中所述適形屏蔽界定所述第一開口經(jīng)配置以使對應(yīng)于所述電路經(jīng)配置以操作的所述第一頻率的共振頻率移位；

其中由所述適形屏蔽覆蓋的所述封裝本體的所述側(cè)向表面與所述襯底的所述側(cè)向表面實質(zhì)上共面(coplanar)；及

其中所述第一開口具有由0.026λ≦L₁≦0.155λ決定的第一長度L₁，且λ為與所述半導(dǎo)體裝置封裝的操作頻率相關(guān)的波長，且所述操作頻率在從5.180GHz到5.825GHz的范圍中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置封裝，所述適形屏蔽包括界定所述第一開口的第一側(cè)部。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置封裝，所述適形屏蔽包括界定第二開口的第二側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述第一開口的位置經(jīng)配置以減少所述半導(dǎo)體裝置封裝中的電場強度。