[發(fā)明專利]一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610963499.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN106276783B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇娟;鄭英彬;劉清鋒;劉杰;康小克;馮正;譚為;鄧賢進(jìn);張健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙)51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于步驟為：

（1）芯片或微帶線基片通過焊料平整貼裝在用于支撐的基底上；貼裝后，芯片和相鄰微帶線基片的上表面之間或不同芯片的上表面之間的高度差小于5μm；

（2）在芯片或微帶線基片上均勻涂覆聚酰亞胺厚膠形成聚酰亞胺保護(hù)層；

（3）在聚酰亞胺保護(hù)層上涂覆光刻膠，并通過光刻，將芯片、微帶線基片的焊盤區(qū)域的聚酰亞胺保護(hù)層暴露出來；

（4）利用干法刻蝕除去暴露區(qū)域的聚酰亞胺保護(hù)層，露出芯片或微帶線基片上的金屬焊盤或焊接區(qū)域；

（5）除去聚酰亞胺保護(hù)層上的光刻膠，得到聚酰亞胺保護(hù)層；

（6）在聚酰亞胺保護(hù)層上和芯片或微帶線基片的金屬焊盤或焊接區(qū)域上制備金屬生長層；

（7）在金屬生長層上涂覆光刻膠，通過光刻在非互連區(qū)域制作周期性排列的通孔圖案，露出通孔圖案下面的金屬生長層；

（8）采用濕法刻蝕，去除通孔位置處的金屬生長層，露出聚酰亞胺保護(hù)層，然后去除所有光刻膠，在金屬生長層上預(yù)留出除膠通孔；

（9）在上面噴涂厚光刻膠，并通過光刻露出互連區(qū)域的金屬生長層，形成后續(xù)電鍍步驟的掩膜；

（10）以互連區(qū)域的金屬生長層為種子層，通過電鍍的方式加厚互連區(qū)域的金屬生長層，隨后去除厚光刻膠，實(shí)現(xiàn)芯片間金屬互連線的制作；

（11）采用反應(yīng)離子刻蝕，去除聚酰亞胺保護(hù)層，同時(shí)剝離去除非互連區(qū)域的金屬生長層，實(shí)現(xiàn)芯片與微帶線基片之間或不同芯片之間的金屬互連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于：步驟（1）中所采用的焊料是導(dǎo)電銀膠、或者是低溫預(yù)型焊片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于：所述芯片的焊盤是Al焊盤，或者Au焊盤。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于：步驟（6）中采用磁控濺射或蒸鍍的方式生長金屬生長層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于：步驟（9）中，所述厚光刻膠的厚度為10-15μm，根據(jù)電鍍時(shí)間確定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻芯片的低損耗互連工藝方法，其特征在于：步驟（10）中，所述電鍍加厚的金屬生長層的厚度為15-20μm。