[發明專利]開關元件

有效

• 申請號: 201610962975.1
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN107068747B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 大川峰司
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種開關元件，具有：

電子傳輸層；

電子供給層，其位于所述電子傳輸層之上，且與所述電子傳輸層形成異質結；

源極，其與所述電子供給層相接；

漏極，其在與所述源極分離的位置處與所述電子供給層相接；

第一柵電極，其位于所述電子供給層的上部且在從上側進行俯視觀察時位于所述源極與所述漏極之間，并且在所述電子供給層的上部處與所述漏極電連接；

第二柵電極，其位于所述電子供給層的上部且在從上側進行俯視觀察時被配置于所述第一柵電極與所述漏極之間；

第一p型層，其位于所述第一柵電極與所述電子供給層之間，且與所述電子供給層相接；

第二p型層，其位于所述第二柵電極與所述電子供給層之間，且與所述電子供給層相接，

所述開關元件的導通電阻與所述第一柵電極和所述漏極之間的電阻相比而較低，

所述第二柵電極與對所述第一柵電極和所述漏極進行電連接的路徑相連結，

所述第二p型層和所述電子傳輸層之間的所述電子供給層的厚度與所述第一p型層和所述電子傳輸層之間的所述電子供給層的厚度相比而較厚。

2.如權利要求1所述的開關元件，其中，

所述第二p型層的p型雜質濃度與所述第一p型層的p型雜質濃度相比而較低。

3.如權利要求1所述的開關元件，其中，

所述電子供給層為AlGaN，

所述第二柵電極的下部的所述電子供給層的Al/Ga比例與所述第一柵電極的下部的所述電子供給層的Al/Ga比例相比而較高。

4.如權利要求1所述的開關元件，其中，

具有電阻層，所述電阻層位于所述電子供給層的上部且在從上側進行俯視觀察時位于所述第一柵電極與所述漏極之間并且與所述第一柵電極以及所述漏極相比電阻率較高，

對所述第一柵電極與所述漏極進行電連接的所述路徑中的至少一部分為所述電阻層。

5.如權利要求4所述的開關元件，其中，

還具有第一絕緣層，

所述電阻層具有第一電阻層和第二電阻層，

所述第一絕緣層對所述第一電阻層進行覆蓋，

所述第二電阻層位于所述第一絕緣層之上，

在從上側進行俯視觀察時，所述第一電阻層的一部分與所述第二電阻層的一部分重疊，

在所述第一電阻層與所述第二電阻層重疊的位置處，設有貫穿所述第一絕緣層而對所述第一電阻層與所述第二電阻層進行連接的接觸孔，

對所述第一柵電極與所述漏極進行電連接的所述路徑中的至少一部分為所述第一電阻層、所述第二電阻層以及所述接觸孔。

6.如權利要求5所述的開關元件，其中，

在從上側進行俯視觀察時，所述第二電阻層在未設置所述接觸孔的位置處具有與所述第一電阻層重疊的部分。

7.如權利要求4所述的開關元件，其中，

還具有：

第二絕緣層，其位于所述電阻層之上；

配線，其位于所述第二絕緣層之上。

8.如權利要求4所述的開關元件，其中，

在從上側進行俯視觀察時，所述第一柵電極與所述漏極之間的所述電子供給層的上表面的整個區域與所述電阻層重疊。

9.如權利要求1所述的開關元件，其中，

對所述第一柵電極與所述漏極進行電連接的所述路徑在所述漏極的周圍以漩渦狀而延伸。