[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于GeSbTe相變材料的薄膜器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610962686.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106374045B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱偉玲;陳星源;古迪 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣東石油化工學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L45/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L45/00 |
| 代理公司: | 深圳市千納專(zhuān)利代理有限公司 44218 | 代理人: | 潘麗君 |
| 地址: | 525000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 gesbte 相變 材料 薄膜 器件 | ||
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于廣東石油化工學(xué)院,未經(jīng)廣東石油化工學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610962686.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- GeSbTe薄膜的制造方法、相變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器及其制造方法
- 鍺銻碲化合物相變材料濺射靶材生產(chǎn)方法
- 基于自選擇腐蝕的水平全限制相變存儲(chǔ)器的制備方法
- 一種高性能GeSbTe基熱電材料的制備方法
- 一種基于GeSbTe相變材料的薄膜器件
- 一種用于相變材料GeSbTe的化學(xué)機(jī)械拋光液
- 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)磁光耦合復(fù)合存儲(chǔ)的方法
- 一種改性磷酸鐵鋰正極材料及其制備方法
- 一種結(jié)合能力強(qiáng)、低阻值的GeSbTe相變材料薄膜器件
- 一種高傳輸速度基于GeSbTe相變材料的薄膜器件





