[發明專利]調適存儲器系統中的字線脈沖寬度

有效

• 申請號: 201610962503.6
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN107068197B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 穆罕默德·H·阿布-拉赫馬;楊賽森
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

本發明涉及調適存儲器系統中的字線脈沖寬度。本發明揭示用于調適存儲器系統中使用的字線(WL)脈沖寬度的系統、電路和方法。本發明的一個實施例針對一種包括存儲器系統的設備。所述存儲器系統包括：存儲器，其根據具有相關聯WL脈沖寬度的字線(WL)脈沖操作；內建自測(BIST)單元，其與所述存儲器介接，所述BIST單元經配置以運行所述存儲器的內部功能性的自測，并提供指示所述存儲器通過還是未通過所述自測的信號；以及自適應WL控制電路，其與所述BIST單元和所述存儲器介接，所述自適應WL控制電路經配置以基于所述BIST單元提供的所述信號而調節所述存儲器的所述WL脈沖寬度。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2008年12月15日、申請號為200880125490.0、發明名稱為“調適存儲器系統中的字線脈沖寬度”的發明專利申請案。

依據35 U.S.C.§119主張優先權

本專利申請案主張2007年12月17日申請的標題為“用于調適存儲器系統中的字線脈沖寬度的設備和方法(APPARATUS AND METHOD FOR ADAPTING WORD LINE PULSE WIDTHSIN MEMORY SYSTEMS)”的第61/014,257號臨時申請案的優先權，所述臨時申請案轉讓給本受讓人并以引用的方式明確地并入本文中。

技術領域

本發明的實施例涉及存儲器系統。更明確地說，本發明的實施例涉及調適存儲器系統中使用的字線脈沖寬度。

背景技術

隨著CMOS技術持續縮放到較小尺寸，歸因于工藝控制限制以及基本物理限制的工藝變化趨于增加。例如內嵌式SRAM等內嵌式存儲器由于侵入性設計規則及其與其它數字邏輯相比較小的大小而尤其容易受到較大工藝變化的影響。為了應對工藝變化的此較大增加，存儲器電路設計者通常使用過于保守的設計方法以便實現高參數和功能良率。

舉例來說，設計者可通過設計特定集成電路(IC)以在較廣的工藝變化范圍(包含局部(每一IC內)和全局(IC之間)變化兩者)內起作用來針對良率折衷性能(例如，速度)和/或功率消耗。這導致所生產的較大百分比的IC可操作(即，增加的良率)，但性能和/或功率消耗的犧牲在未經歷完全范圍的工藝變化的那些IC中可能較大。歸因于工藝變化的統計性質，經歷較大性能和/或功率消耗降級的IC的實際數目可能相當高。

圖1是說明根據字線(WL)脈沖讀取/寫入數據的常規存儲器系統100的示意圖。存儲器系統100包含存儲器110、內建自測(BIST)電路120，和脈沖寬度設定模塊130。BIST 120測試存儲器110的內部功能性的全部或一部分。脈沖寬度設定模塊130設定WL脈沖寬度以用于存儲器110中的讀取/寫入循環。脈沖寬度設定模塊130可從系統控制器等接收指示所需WL脈沖寬度的外部n位代碼。

如此項技術中眾所周知，WL脈沖寬度確定每一讀取或寫入操作完成所需的時間長度，其直接影響所述存儲器的性能和功率消耗兩者。一般來說，增加的WL脈沖寬度確保較準確的讀取/寫入操作，但操作較緩慢且需要較多功率。相比之下，減小的WL脈沖寬度可能較不準確(尤其在較廣的工藝變化范圍內)，但可較快地操作且需要較少功率。因此，設定所需WL脈沖寬度經常是存儲器性能與良率之間的設計折衷。

當生產實施存儲器系統100的一批IC時，用于優化存儲器性能并增加良率的常規制造后技術之一是使用后硅(post-silicon)數字調整。通常，用于控制WL脈沖寬度的外部數字代碼(WL脈沖寬度代碼)經設定以實現針對某一存儲器的目標良率。對存儲器的較大樣本執行測量，且針對不同WL脈沖寬度確定良率。基于目標良率確定最佳WL脈沖寬度，且其對于所有存儲器為固定的。