[發(fā)明專利]一種鍺硅三極管的制造方法以及鍺硅三極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610961615.X | 申請(qǐng)日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106384746B | 公開(公告)日: | 2019-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李風(fēng)浪;李舒歆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微舵集成電路設(shè)計(jì)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/737 | 分類號(hào): | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司: | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 鄧文武 |
| 地址: | 201822 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三極管 制造 方法 以及 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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