[發明專利]微元件的轉移裝置、轉移方法、制造方法、裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201610961364.5
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN107039298B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 徐宸科;邵小娟;鄭建森;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.微元件的轉移裝置，包括：

基底襯底，具有相對的兩個表面；

拾取頭陣列，形成于所述基底襯底的第一表面上，各個拾取頭被獨立控制，用于拾取或釋放微元件；

測試電路，設置于所述基底襯底的內部或/和表面上，具有一系列子測試電路，一個子測試電路對應一個拾取頭，每個子測試電路具有至少兩個測試電極，在所述轉移裝置轉移微元件過程中同時測試該微元件的光電參數，獲得微元件的缺陷圖案。

2.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述每個子測試電路的至少一個測試電極形成于所述拾取頭之用于接觸微元件的表面，在所述拾取頭陣列接觸微元件時連接微元件的電極。

3.根據權利要求2所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述每個子測試電路分別具有一對測試電極。

4.根據權利要求2所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述每個子測試電路共用一個測試電極。

5.根據權利要求2所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述測試電路還包括一可伸縮電極，其位于所述基底襯底的第一表面，與形成于所述拾取頭之用于接觸微元件的表面的測試電極構成子測試電路。

6.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：還包括CMOS集成電路，其位于所述基底襯底的第二表面，與所述測試電路連接。

7.根據權利要求6所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述基底襯底具有通孔結構，所述測試電路貫穿所述通孔結構，延伸至所述基底襯底的第二表面。

8.根據權利要求6所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述基底襯底為硅基板，所述CMOS集成電路由所述Si基板的一部分形成。

9.根據權利要求6所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述CMOS集成電路為位于所述基底襯底之上的結構層。

10.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述拾取頭陣列通過靜電力、范德華力或者真空吸附力拾起微元件。

11.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述拾取頭具有一靜力電極層和覆蓋在該電極層上的介質層，向所述電極層施加吸附電壓時，所述拾取頭產生靜電吸力，拾起與其接觸的微元件。

12.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述拾取頭陣列的各個拾取頭的表面設有仿生壁虎材料，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件。

13.根據權利要求1所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述拾取頭陣列為一系列吸嘴陣列，使用真空壓力吸附微元件或釋放微元件。

14.根據權利要求13所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：還包括一腔體、若干真空路徑及開關組件，所述吸嘴陣列通過所述若干真空路徑連通至該腔體，并在相通處分別設置可開/關的閥門，所述開關組件用于控制各真空路徑的閥門的開或關，從而控制所述吸嘴使用真空壓力吸附或釋放所需的微元件。

15.根據權利要求14所述的微元件的轉移裝置，其特征在于： 所述開關組件包括CMOS集成電路及與所述CMOS集成電路連接的地址電極陣列，各個所述真空路徑的閥門與所述地址電極陣列對應。

16.根據權利要求15所述的微元件的轉移裝置，其特征在于：所述閥門為一可動的構件，所述地址電極陣列由所述CMOS集成電路用電壓電位選擇性激勵以產生致使相應的可動的構件朝向相應的地址電極偏斜或靠近的靜電吸引力，以控制各真空路徑的開或關。