[發(fā)明專(zhuān)利]聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列石墨烯電極的制備方法及檢測(cè)重金屬鉛離子的應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610959204.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106525933B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許鑫華;王超;曹真真;鄭嬌;竇鵬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N27/30 | 分類(lèi)號(hào): | G01N27/30 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專(zhuān)利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 王麗 |
| 地址: | 300072 天*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨烯 納米線陣列 電極 聚吡咯 重金屬鉛離子 檢測(cè) 包覆鈷 酸鎳 制備 傳感器靈敏度 導(dǎo)電聚合物 氧化石墨烯 表面包覆 電極表面 聚吡咯層 氣相聚合 三維結(jié)構(gòu) 水熱反應(yīng) 熱過(guò)程 水熱釜 傳感器 重金屬 包覆 次水 構(gòu)建 應(yīng)用 生長(zhǎng) | ||
1.一種聚吡咯包覆NiCo2O4納米線陣列石墨烯電極的制備方法,其特征在于先利用水熱釜進(jìn)行氧化石墨烯的水熱反應(yīng),得到具有三維結(jié)構(gòu)的3D石墨烯電極,而后利用第二次水熱過(guò)程,在3D石墨烯電極表面生長(zhǎng)NiCo2O4納米線陣列,利用兩步水熱法得到NiCo2O4納米線陣列石墨烯結(jié)構(gòu),再利用化學(xué)氣相聚合方法包覆PPy,得到最終的聚吡咯包覆NiCo2O4納米線陣列石墨烯電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法;其特征是采用以下步驟:
(1)3D石墨烯電極的制備
配制濃度為1~8mg mL-1的氧化石墨烯溶液,超聲2~4h,轉(zhuǎn)移至水熱釜中;放入馬弗爐中120~180℃加熱,得到3D石墨烯,而后進(jìn)行凍干處理;
(2)NiCo2O4納米線陣列-3D石墨烯的制備
配置氯化鎳1~2.5mmol,硝酸鈷2~5mmol,氟化銨6~15mmol,尿素10~30mmol,加入蒸餾水中混合攪拌,得到明亮均一的粉色液體;將此粉色液體倒入水熱釜中,3D石墨烯懸置于粉色液體中;在60~140℃溫度下水熱反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后取出反應(yīng)釜冷卻至室溫,取出3D石墨烯基底,在石墨烯基底上附著了粉色物質(zhì),用蒸餾水和乙醇反復(fù)沖洗,室溫干燥;然后放入管式爐中,在氮?dú)鈿夥障蚂褵玫絅iCo2O4-3D石墨烯;
(3)PPy包覆NiCo2O4/3D石墨烯的制備
配置3~6mmol過(guò)硫酸銨和0.1~0.3mmol SDS至蒸餾水中,超聲使其充分溶解為溶液;將NiCo2O4/3D石墨烯放入溶液中浸泡至充分潤(rùn)濕,取出后置于培養(yǎng)皿中,在培養(yǎng)皿中加入10~30μL吡咯單體,兩者不直接接觸,蓋上培養(yǎng)皿,培養(yǎng)皿中吡咯單體揮發(fā)產(chǎn)生吡咯蒸汽;3~10min后取出,用蒸餾水和乙醇反復(fù)沖洗表面,得到聚吡咯包覆NiCo2O4納米線陣列石墨烯電極。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征是所述步驟(1)放入馬弗爐中加熱5~12h。
4.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征是所述步驟(2)加入蒸餾水中混合攪拌5~15min。
5.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征是所述步驟(2)在60~140℃溫度下,水熱反應(yīng)5~8h。
6.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征是所述步驟(3)在管式爐中煅燒溫度為200~300℃,煅燒時(shí)間為1~4h。
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