[發(fā)明專利]一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610959073.2
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN106525251B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁志清;劉子驥;伍瀏權(quán);王濤;蔣亞東
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: G01J5/34
• 分類號: G01J5/34;G01J5/08;G02B27/10
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，將正方形鎳鉻片豎直均分為30～60個小矩形格，每個小矩形格內(nèi)刻蝕工藝同步進(jìn)行，任意一個小矩形格內(nèi)刻蝕方法包括部分刻蝕和其后的整體刻蝕，任一小矩形格內(nèi)刻蝕的具體步驟如下：

步驟A：部分刻蝕；以矩形鎳鉻片表面兩條短邊中點連線為對稱軸分為對稱的區(qū)域一和區(qū)域二，然后采用光刻工藝分別在兩個區(qū)域依次刻蝕，得到兩個相互對稱的階梯狀斜面；

步驟B：整體刻蝕；采用酸性刻蝕液對步驟A制得的鎳鉻片表面進(jìn)行整體刻蝕，使得斜面的階梯結(jié)構(gòu)消失，進(jìn)而在小矩形格內(nèi)得到底面為矩形且具有兩個平滑斜面形成倒V型表面的三棱柱結(jié)構(gòu)，最終制得由多個三棱柱結(jié)構(gòu)鎳鉻片形成的具有V型槽結(jié)構(gòu)的正方形分光陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，所述酸性刻蝕液包括濃硝酸、濃鹽酸、冰乙酸和水，各組分體積比為濃硝酸∶濃鹽酸∶冰乙酸∶水＝1∶1∶1∶2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟A中每一個階梯狀斜面均要經(jīng)過多次光刻，步驟A中光刻工藝的具體操作如下：

步驟A1：首先在矩形鎳鉻片表面均勻涂覆正性光刻膠膠，將區(qū)域一或區(qū)域二進(jìn)行曝光顯影，然后使用酸性刻蝕液對上述曝光顯影后無光刻膠保護(hù)部分刻蝕，通過控制反應(yīng)時間控制刻蝕深度，刻蝕完成后進(jìn)行除膠處理；

步驟A2：在前一步驟制得鎳鉻片的表面整體涂覆正性光刻膠，使得區(qū)域一涂覆層和區(qū)域二涂覆層位于同一平面，然后將曝光區(qū)域向上述曝光側(cè)平行外移，曝光區(qū)域平行外移距離與前一步驟中刻蝕深度相同，再使用酸性刻蝕液對上述曝光顯影后無光刻膠保護(hù)部分進(jìn)行刻蝕，通過控制反應(yīng)時間控制刻蝕深度，所述刻蝕深度與前一步驟的刻蝕深度相同，刻蝕完成后進(jìn)行除膠處理；

步驟A3：重復(fù)步驟A2的操作直至在鎳鉻片區(qū)域一或區(qū)域二得到階梯狀結(jié)構(gòu)，再通過同樣步驟對另一區(qū)域進(jìn)行處理，得到兩個相互對稱的階梯狀斜面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，還包括將制得的三棱柱結(jié)構(gòu)鎳鉻片使用去離子水進(jìn)行超聲清洗，清洗完成后使用高純氮氣吹干。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，刻蝕深度和曝光區(qū)域平行外移距離均為8～12μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3或5任一項所述的一種溝槽結(jié)構(gòu)分光陣列的制備方法，其特征在于，制得三棱柱結(jié)構(gòu)鎳鉻片的矩形底面與其三角形側(cè)面相交邊的長度為80～120μm。