[發(fā)明專利]基于電控磁富集?分離和全內(nèi)反射磁成像的光學(xué)檢測(cè)儀在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610958552.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106596473A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉春秀;賈建;蔡浩原;劉昶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N21/55 | 分類號(hào): | G01N21/55;G01N21/01 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 電控磁 富集 分離 反射 成像 光學(xué) 檢測(cè) | ||
1.一種光學(xué)檢測(cè)儀,包括光學(xué)檢測(cè)結(jié)構(gòu),其用于對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行光學(xué)檢測(cè),其特征在于,
還包括電控磁富集-分離結(jié)構(gòu),其用于對(duì)待測(cè)樣品中的復(fù)合磁微粒子進(jìn)行富集和分離。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,
所述的電控磁富集-分離結(jié)構(gòu)包括檢測(cè)芯片和兩個(gè)電磁線圈,所述的兩個(gè)電磁線圈位于所述檢測(cè)芯片的上下兩側(cè),并且所述兩電磁線圈之間的中軸線與所述檢測(cè)芯片所在水平面相互垂直;
所述光學(xué)檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括光源和檢測(cè)裝置,光源發(fā)射的入射光線以一定的入射角度入射到所述檢測(cè)芯片和所述上下兩個(gè)電磁線圈之間中軸線的交匯處,即檢測(cè)區(qū)域,并反射到所述檢測(cè)裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的入射光線的入射角度和檢測(cè)裝置接收反射光線的反射角度為40~75度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的檢測(cè)芯片具備微流控結(jié)構(gòu),所述微流控結(jié)構(gòu)的中心位置與所述檢測(cè)芯片和所述上下兩個(gè)電磁線圈之間中軸線的交匯處相互重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的檢測(cè)芯片制備材料是透明材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的兩個(gè)電磁線圈為小型加強(qiáng)磁柱或磁片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的小型加強(qiáng)磁柱或磁片具有加強(qiáng)磁性的鐵芯或鈷鎳鐵芯。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的兩個(gè)電磁線圈的線圈數(shù)為50~800匝。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的電控磁富集-分離結(jié)構(gòu)還包括:電磁控制電路,所述的電磁控制電路結(jié)構(gòu)用于按照一定的頻率給所述兩個(gè)電磁線圈分別交替加電或斷電從而在其之間產(chǎn)生交替磁場(chǎng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,還包括恒溫加熱結(jié)構(gòu),用于實(shí)現(xiàn)檢測(cè)區(qū)域的恒溫環(huán)境。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的光學(xué)檢測(cè)結(jié)構(gòu)還包括一個(gè)封閉的暗盒,所述的暗盒內(nèi)壁進(jìn)行涂黑處理,用于排除外界光線干擾。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的光學(xué)檢測(cè)結(jié)構(gòu)還包括光源控制電路板,用于控制光源產(chǎn)生入射光線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的光源為L(zhǎng)ED或激光光源。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的檢測(cè)裝置為顯微鏡頭、遠(yuǎn)心鏡頭、CCD相機(jī)或CMOS相機(jī)、發(fā)光二極管或光電倍增管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的CCD相機(jī)或CMOS相機(jī)與所述的顯微鏡頭或遠(yuǎn)心鏡頭配合使用,并且用于檢測(cè)微米尺寸的圖像。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)檢測(cè)儀,其特征在于,所述的遠(yuǎn)心鏡頭的景深和檢測(cè)區(qū)域的表面積相匹配,用于獲取清晰的面陣圖像。
17.一種光學(xué)檢測(cè)方法,基于權(quán)利要求1-16中任一項(xiàng)所述的光學(xué)檢測(cè)儀,所述方法包括:
所述的光源發(fā)射入射光線以一定入射角度至檢測(cè)芯片上的待測(cè)樣品;
電磁控制電路控制檢測(cè)芯片上下兩個(gè)電磁線圈在待測(cè)樣品上產(chǎn)生交替磁場(chǎng);
檢測(cè)裝置接收經(jīng)過(guò)反射的反射光線進(jìn)行圖像拍攝。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





