[發(fā)明專利]半導體金屬引線的制造方法和半導體金屬引線

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610955766.4
• 申請日: 2016-10-27
• 公開（公告）號: CN107993941A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 賀冠中
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張娜,劉芳

1.一種半導體金屬引線的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上進行絕緣介質生長，形成層間介質層；

對所述層間介質層進行刻蝕，形成引線孔；

在形成所述引線孔后的半導體襯底上沉積隔離介質，形成隔離層；

在所述隔離層上沉積金屬介質，形成金屬層；

對所述隔離層和所述金屬層進行刻蝕，形成金屬引線。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成所述引線孔后的半導體襯底上沉積隔離介質，形成隔離層，包括：

采用化學氣相沉積工藝在形成所述引線孔后的半導體襯底上沉積高摻雜多晶硅，形成高摻雜低電阻的多晶硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成所述引線孔后的半導體襯底上沉積隔離介質，形成隔離層，包括：

在形成所述引線孔后的半導體襯底上沉積多晶硅，在所沉積的多晶硅內注入或擴散摻雜介質，形成高摻雜低電阻的多晶硅層。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述高摻雜低電阻的多晶硅層中所包含的摻雜介質包括以下介質中的至少一種：硼、磷、砷、銻。

5.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，所述對所述隔離層和所述金屬層進行刻蝕，包括：

采用干法刻蝕對所述隔離層和所述金屬層進行刻蝕，形成金屬引線。

6.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底包括以下襯底中的任意一種：硅襯底、氮化鎵襯底、碳化硅襯底。

7.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬介質為鋁。

8.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，所述絕緣介質為氧化硅或氮化硅。

9.一種半導體金屬引線，其特征在于，包括：半導體襯底上形成的層間介質層；所述層間介質層為絕緣層；

所述層間介質層上形成有引線孔；

所述引線孔內形成有隔離層和金屬層；

其中，所述引線孔內的所述隔離層與所述半導體襯底相接觸，所述金屬層位于所述隔離層上方。

10.根據權利要求9所述的半導體金屬引線，其特征在于，所述隔離層為高摻雜低電阻的多晶硅層。