[發明專利]自聚焦微透鏡陣列的制作系統及制作方法有效
| 申請號： | 201610955449.2 | 申請日： | 2016-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN106324727B | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發明（設計）人： | 曹文田 | 申請（專利權）人： | 山東師范大學 |
| 主分類號： | G02B3/00 | 分類號： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司37221 | 代理人： | 張曉鵬 |
| 地址： | 250014 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自聚焦 透鏡 陣列 制作 系統 制作方法 | ||
1.一種自聚焦微透鏡制作系統，其特征在于：包括依次排列的激光光源、半波片、濾波器、凸透鏡、衰減器以及薄膜微型光學諧振腔，其中，所述薄膜微型光學諧振腔包括第一層金屬薄膜、半導體薄膜和第二層金屬薄膜，半導體薄膜位于第一層金屬薄膜和第二層金屬薄膜之間，使半導體薄膜與兩層金屬薄膜之間的界面處形成肖特基結；
激光光源發射的激光依次通過半波片、濾波器、凸透鏡、衰減器垂直照射于所述第一層金屬薄膜的表面；
激光光源與薄膜微型光學諧振腔滿足以下關系：
2nd=mλ，其中，d為半導體薄膜的厚度，n為半導體薄膜的折射率，λ為入射激光的波長，m為正整數。
2.自聚焦微透鏡陣列的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：
1）薄膜微型光學諧振腔的制備
在襯底上生長第一層金屬薄膜，接著在第一層金屬薄膜上生長一層半導體薄膜，最后在半導體薄膜上生長第二層金屬薄膜，半導體薄膜與第一層金屬薄膜和第二層金屬薄膜的界面處形成肖特基結；
2）光照形成自聚焦微透鏡陣列
把制備的薄膜微型光學諧振腔放置于激光光路中，激光經濾波、準直后，垂直聚焦在薄膜型光學諧振腔的表面，光從襯底一側進入，從第二層金屬薄膜一側透出，照射設定時間后，得到自聚焦微透鏡陣列；
激光光源與薄膜微型光學諧振腔滿足以下關系：
2nd=mλ，其中，d為半導體薄膜的厚度，n為半導體薄膜的折射率，λ為入射激光的波長，m為正整數。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟1）中，所述襯底為BaF2襯底，BaF2襯底對光吸收少，透光波長范圍寬。
4.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟1）中，所述第一層金屬薄膜為銅薄膜、金薄膜或銀薄膜。
5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：金屬薄膜的厚度為10-30nm。
6.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟1）中，所述半導體薄膜為窄帶隙硫屬鉛鹽化合物半導體薄膜。
7.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述半導體薄膜的厚度為（λ/10）-300nm，λ為入射光波長。
8.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟1）中，所述第二層金屬薄膜為銅薄膜、金薄膜或銀薄膜，第二層金屬薄膜的厚度為10-30nm。
9.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟2）中，所述激光的功率和照射時間的乘積為0.2-0.5J/cm2。
10.權利要求2-9任一所述制作方法制作得到的自聚焦微透鏡陣列。
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