[發(fā)明專利]用于積聚的俘獲離子遷移譜分析的空間縮放模式

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610955447.3
• 申請日: 2016-11-03
• 公開（公告）號: CN107039231B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅爾文·安德魯·帕克;奧利弗·拉瑟
• 申請（專利權(quán)）人: 布魯克道爾頓有限公司
• 主分類號: H01J49/02
• 分類號: H01J49/02;G01N27/62
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;井杰

1.一種俘獲離子遷移譜儀，包括：

掃描單元，其具有RF電壓發(fā)生器和DC電壓發(fā)生器以及有孔電極棧，其中，向棧前端附近的電極提供額外DC電壓，該DC電壓同棧末端附近的電極處的DC電壓一同形成電場斜坡的平緩部分，在該平緩部分上積聚遷移率在所選范圍的離子，通過額外DC電壓確定所選范圍的最高離子遷移率，通過該DC電壓和棧末端附近的DC電壓之間的差確定所選范圍的寬度；以及

具有另一有孔電極棧的離子積聚單元、和能夠為該離子積聚單元的電場斜坡提供額外DC電壓的額外電壓發(fā)生器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述掃描單元的DC電壓發(fā)生器可調(diào)整，從而通過降低棧末端附近的DC電壓來掃描所述掃描單元的電場斜坡的平緩部分上的積聚離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的俘獲離子遷移譜儀，其中，由所述額外電壓發(fā)生器為所述離子積聚單元提供的額外DC電壓形成電場斜坡的平緩部分以及離子積聚單元末端的電場峰值，使得電場峰值阻止遷移率比所選范圍更低的離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的俘獲離子遷移譜儀，包括額外措施以阻止遷移率高于所選范圍的離子進入所述另一有孔電極棧。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述措施是所述另一有孔電極棧前端的RF離子漏斗。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述措施是施加至質(zhì)譜儀入口毛細管的反向電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的俘獲離子遷移譜儀，包括位于有孔電極棧的至少一個電極處的柵極以限定電場分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述柵極包括由易漏介質(zhì)材料制成的燈絲。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述柵極包括電感式燈絲。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的俘獲離子遷移譜儀，其中，所述電感式燈絲通過在絕緣芯周圍纏繞或沉積導電材料制成。

11.一種質(zhì)譜儀，包括離子源、根據(jù)權(quán)利要求1的俘獲離子遷移譜儀和質(zhì)量分析器，其中，俘獲離子遷移譜儀位于離子源和質(zhì)量分析器之間。

12.一種質(zhì)譜儀，包括離子源、根據(jù)權(quán)利要求3的俘獲離子遷移譜儀和質(zhì)量分析器，其中，俘獲離子遷移譜儀位于離子源和質(zhì)量分析器之間。

13.一種使用俘獲離子遷移分離器來分析遷移率在所選范圍的離子的方法，所述俘獲離子遷移分離器包括積聚單元和掃描單元，所述方法包括步驟：

(a)在積聚單元聚集遷移率在一范圍內(nèi)的離子；

(b)將來自積聚單元的離子轉(zhuǎn)移至掃描單元，其中，調(diào)整掃描單元的電壓，使遷移率低于第一值的已轉(zhuǎn)移離子不儲存在掃描單元中，遷移率高于預定值的已轉(zhuǎn)移離子儲存在掃描單元中；以及

(c)通過掃描掃描單元的電壓來根據(jù)遷移率分離所選遷移率范圍內(nèi)的已儲存離子。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，在步驟(b)中，調(diào)整積聚單元的電壓，使得積聚單元中聚集的遷移率高于第二值的離子仍儲存在積聚單元中，第二值高于第一值，并且其中，余下的離子被中和或從積聚單元中拋出。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，通過關(guān)閉施加至積聚單元的RF電壓來中和離子，以便在步驟(a)和(b)中徑向限定離子。

16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，遷移率高于第二值的離子在進入積聚單元之前被過濾掉，第二值高于第一值。