[發(fā)明專利]用于有機層的噴墨印刷或其他用途的液體組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610951638.2
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN107104185B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 田廣玉;夏傳軍;S·拉耶克
• 申請（專利權）人: 通用顯示公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/54
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王海寧

1.一種形成用于有機電子器件的有機層的方法，該方法包括：

提供一種液體組合物，該液體組合物包括混入一種溶劑制劑中的一種小分子有機半導體材料，該溶劑制劑包括一種溶劑以及0.1wt％或更少的雜質，這些雜質具有的沸點高于該溶劑，該溶劑在1atm下具有200℃或更高的沸點，其中該溶劑選自1-四氫萘酮、2-四氫萘酮、2-(苯基環(huán)氧)四氫萘酮和6-(甲氧基)四氫萘酮；并且

將該液體組合物沉積在一個表面上。

2.如權利要求1所述的方法，其中該溶劑制劑是一種純化過的溶劑制劑，并且其中提供該液體組合物包括：

提供一種粗溶劑制劑，該粗溶劑制劑包括該溶劑以及大于0.1wt％的、具有的沸點高于該溶劑的雜質；

通過去除這些具有的沸點高于該溶劑的雜質中的至少一些來純化該粗溶劑制劑，以便得到純化過的溶劑制劑；并且

將該小分子有機半導體材料與該純化過的溶劑制劑進行混合。

3.如權利要求2所述的方法，其中純化該粗溶劑制劑包括蒸餾該粗溶劑制劑。

4.如權利要求1所述的方法，其中該溶劑在1atm下具有250℃或更高的沸點。

5.如權利要求1所述的方法，其中該溶劑是1-四氫萘酮。

6.如權利要求1所述的方法，其中該有機半導體材料的濃度是在0.01-2wt％的范圍內。

7.如權利要求1所述的方法，其中該有機半導體材料是一種過渡金屬的有機金屬絡合物。

8.一種制造有機發(fā)光器件的方法，該器件具有一個陽極、一個陰極、以及布置在該陽極與該陰極之間的一個有機層，其中該有機層是通過權利要求1所述的方法形成的。

9.如權利要求8所述的方法，其中該沉積步驟是通過噴墨印刷進行的。

10.一種液體組合物，包括：

一種在1atm下具有的沸點為200℃或更高的溶劑，其中該溶劑選自1-四氫萘酮、2-四氫萘酮、2-(苯基環(huán)氧)四氫萘酮和6-(甲氧基)四氫萘酮；以及

以0.01-10wt％的范圍內的濃度混入該溶劑中的一種小分子有機半導體材料；

其中該液體組合物具有0.1wt％或更少的雜質，這些雜質具有的沸點高于該溶劑。

11.如權利要求10所述的液體組合物，其中該有機半導體材料的濃度是在0.01-2wt％的范圍內。

12.如權利要求10所述的液體組合物，其中該有機半導體材料是一種發(fā)射磷光的化合物。

13.如權利要求12所述的液體組合物，其中該發(fā)射磷光的化合物是一種過渡金屬的有機金屬絡合物。

14.如權利要求12所述的液體組合物，其中該液體組合物進一步包括該發(fā)出磷光的化合物的一種主體化合物。

15.如權利要求14所述的液體組合物，其中該主體化合物是一種含咔唑的化合物。

16.如權利要求10所述的液體組合物，其中該溶劑在1atm下具有250℃或更高的沸點。

17.如權利要求10所述的液體組合物，其中該溶劑是1-四氫萘酮。

18.一種制造有機電子器件的方法，其包括如權利要求1至7任一項所述的形成有機層的方法。

19.一種有機電子器件，其通過權利要求18所述的方法制成。

20.一種制造有機電子器件的方法，該方法包括如下步驟：通過沉積如權利要求10-17任一項所述的液體組合物來形成有機層。

21.一種有機電子器件，其通過權利要求20的方法制成。