[發明專利]壓電元件及其制造方法、超聲波探測器、超聲波測定裝置在審
| 申請號： | 201610950546.2 | 申請日： | 2016-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN106876575A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 山崎清夏;田村博明 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/113 | 分類號： | H01L41/113;H01L41/47 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司11240 | 代理人： | 田喜慶,吳孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 元件 及其 制造 方法 超聲波 探測器 測定 裝置 | ||
1.一種壓電元件，其特征在于，
具備：
壓電體；以及
振動板，將具有楊氏模量相對高的高楊氏模量取向與楊氏模量相對低的低楊氏模量取向的各向異性的單晶硅作為振動用材料，
所述壓電體和所述振動板以使所述低楊氏模量取向處于沿著根據所述壓電體的支承構造產生的伸縮程度相對高的高伸縮方向與伸縮程度相對低的低伸縮方向中的高伸縮方向的方向上的方式層疊。
2.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(001)，所述低楊氏模量取向為(100)或(010)。
3.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(001)，所述低楊氏模量取向為(001)或(100)。
4.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(100)，所述低楊氏模量取向為(010)或(001)。
5.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(110)，所述低楊氏模量取向為(-100)或(001)。
6.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(011)，所述低楊氏模量取向為(0-10)或(100)。
7.根據權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，
所述單晶硅的面取向為(101)，所述低楊氏模量取向為(10-1)或(010)。
8.一種超聲波探測器，其特征在于，
具備權利要求1至7中任一項所述的壓電元件，用于超聲波的發送。
9.一種超聲波測定裝置，其特征在于，
具備權利要求8所述的超聲波探測器。
10.一種壓電元件的制造方法，其特征在于，
包括：
從具有楊氏模量相對高的高楊氏模量取向與楊氏模量相對低的低楊氏模量取向的各向異性的單晶硅晶圓切出用于振動板的振動用材料的工序；以及
所述壓電體和所述振動板以使所述低楊氏模量取向處于沿著根據壓電體的支承構造產生的伸縮程度相對高的高伸縮方向與伸縮程度相對低的低伸縮方向中的高伸縮方向的方向上的方式層疊的工序。
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