[發明專利]一種半導體行業含雙氧水廢水的處理方法及處理裝置

在審

• 申請號: 201610949936.8
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN108017183A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 黃攀峰;張云秀;王春冬;徐鳴;厲曉華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04;B01D53/78;B01D53/58;C02F103/34;C02F101/10
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發明提供了一種半導體行業含雙氧水廢水的處理方法及處理裝置，所述處理裝置包括：調節槽，用于調節所述廢水的pH值；反應塔，連接所述調節槽，用于使從所述調節槽出來的廢水中的雙氧水分解；吹脫塔，連接所述反應塔，用于對從所述反應塔出來的廢水進行氨氮吹脫；吸收塔，連接所述吹脫塔，所述氨氮吹脫產生的氨氣進入所述吸收塔中被吸收；其中，經所述吹脫后的廢水進入與吹脫塔相連接的氫氟系統后再排放。本發明的處理裝置及處理方法無需新建系統，且運行成本非常低；錳砂價低易得，更換方便；另外，催化反應放熱，有助于提高氨氣的吹脫效果；且解決了廢水中生成的氧氣對離心泵的氣蝕作用，提高了泵浦的運行壽命。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體行業含雙氧水廢水的處理方法及處理裝置。

背景技術

半導體制造中會產生含氨廢液，其主要成分的比例約為NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶50，可看出其中含有較高濃度的雙氧水，且一般不會對雙氧水進行去除處理，但是隨著目前國內最先進的12英寸芯片工藝40/45納米項目的產能釋放，造成了許多問題：

a.含雙氧水廢水的排放量不斷上升。

b.其中雙氧水濃度高達1500～3000mg/L。

c.傳統調節pH值進行攪拌吹脫的工藝對該廢水中雙氧水沒有良好的處理效果。

d.雙氧水會嚴重影響COD(化學需氧量)的測值，使之偏高。

e.雙氧水自發分解出O2造成廢水中氣體較多，氣蝕影響泵浦正常運行及壽命。

f.雙氧水帶有揮發性，污染環境，影響員工身體健康。

由此帶來的主要問題是排放口COD超標的風險很高。

因此，有必要提出一種新的半導體行業含雙氧水廢水的處理方法及處理裝置，以解決現有的技術問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發明的一方面提供一種半導體行業含雙氧水廢水的處理裝置，包括：

調節槽，用于調節所述廢水的pH值；

反應塔，連接所述調節槽，用于使從所述調節槽出來的廢水中的雙氧水分解；

吹脫塔，連接所述反應塔，用于對從所述反應塔出來的廢水進行氨氮吹脫；

吸收塔，連接所述吹脫塔，所述氨氮吹脫產生的氨氣進入所述吸收塔中被吸收；

其中，經所述吹脫后的廢水進入與吹脫塔相連接的氫氟系統后再排放。

在一個實施例中，所述調節槽中所用調節劑為氫氧化鈉。

在一個實施例中，所述pH值被調節為10.0～11.0。

在一個實施例中，所述反應塔為兩個。

示例地，兩個所述反應塔的連接方式為串聯連接或并聯連接，且通過閥門進行控制。

在一個實施例中，所述反應塔中所用填料為錳砂，其有效成分為二氧化錳，所述二氧化錳催化所述雙氧水分解為氧氣和水。

在一個實施例中，所述錳砂中二氧化錳的含量為35％～45％。

在一個實施例中，所述調節槽包括攪拌裝置。

在一個實施例中，所述攪拌裝置的轉速為50～100轉/分鐘。