[發明專利]包含噻吩衍生物的液晶介質有效
| 申請號: | 201610948046.5 | 申請日: | 2011-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN107011920B | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | M·韋特克;B·舒勒;A·簡森 | 申請(專利權)人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K19/34 | 分類號: | C09K19/34;C09K19/44 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 馮奕 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 噻吩 衍生物 液晶 介質 | ||
本發明涉及包含噻吩衍生物的液晶介質(FK介質)并涉及含有這些液晶介質的液晶顯示器(FK顯示器)。所述介質具有高光學各向異性并且優選具有25重量%或更多含量的噻吩衍生物。
本申請是中國專利申請201180036766.X的分案申請。
本發明涉及包含噻吩衍生物的液晶介質(FK介質)并涉及含有這些液晶介質的液晶顯示器(FK顯示器)。所述介質具有高光學各向異性并且優選具有25重量%或更多的噻吩衍生物含量。
液晶主要在顯示設備中用作電介質,因為這類物質的光學性質能受到施加的電壓的影響。基于液晶的電光學器件對本領域技術人員來說是極為熟知的且可以基于各種效應。這類器件的實例是具有動態散射的盒,DAP(排列相畸變)盒、賓/主盒、具有扭曲向列結構的TN盒、STN(超扭曲向列)盒、SBE(超雙折射效應)盒和OMI(光學模式干涉)盒。最為常見的顯示器件基于Schadt-Helfrich效應并且具有扭曲向列結構。此外,還有以與基板和液晶面平行的電場工作的盒,例如IPS(面內切換)盒。特別地,TN、STN和IPS盒,尤其是TN、STN和IPS盒是對于根據本發明的介質而言當前商業上令人關注的應用領域。
液晶材料必須具有良好的化學和熱穩定性和對電場和電磁輻射的良好的穩定性。此外,液晶材料應當具有低粘度并在盒中產生短的尋址時間、低的閾值電壓和高的對比度。
此外,它們應當在通常的操作溫度,即在高于和低于室溫的最寬的可能范圍內具有合適的中間相(Mesophase),例如用于上述盒的向列型中間相。因為通常將液晶作為多種組分的混合物使用,因此重要的是組分彼此易于混溶。各個化合物應當在典型的混合物(也稱為主體)中具有高溶解性。更進一步的性質如導電性、介電各向異性和光學各向異性必須根據盒類型和應用領域而滿足各種要求。例如,用于具有扭曲向列結構的盒的材料應當具有正的介電各向異性和低導電能力。
例如,對于具有集成的非線性元件以切換獨立像素的矩陣液晶顯示器(MFK顯示器),期望具有大的正介電各向異性、寬的向列相、相對低的雙折射、很高的電阻率、良好的UV和溫度穩定性和低蒸氣壓的介質。
這類矩陣液晶顯示器是已知的。作為用于獨立地切換獨立像素的非線性元件,可以使用例如有源元件(即晶體管)。于是使用術語“有源矩陣(aktiven Matrix)”,其中可區分為以下兩種類型:
1.在作為基底的硅晶片上的MOS(金屬氧化物半導體)或其它二極管。
2.在作為基底的玻璃板上的薄膜晶體管(TFT)。
將單晶硅作為基底材料使用限制了顯示器尺寸,因為甚至是不同分顯示器的模塊式組裝也會在接頭處導致問題。
就優選的更有前景的類型2的情況來說,所用的電光效應通常是TN效應。區分為兩種技術:由化合物半導體例如CdSe構成的TFT,或基于多晶硅或非晶硅的TFT。對于后一種技術,全世界范圍內正在進行深入的工作。
將TFT矩陣施加于顯示器的一個玻璃板的內側,而另一玻璃板在其內側帶有透明反電極。與像素電極的尺寸相比,TFT非常小且對圖像幾乎沒有不利作用。該技術還可以推廣到全色功能的(voll farbtaugliche)顯示器,其中將紅、綠和藍濾光片的鑲嵌物(Mosaik)以使得每個濾光片元件與可切換的像素對置的方式布置。
TFT顯示器通常作為在透射中具有交叉的起偏器的TN盒來運行且是背景照明的。
術語“MFK顯示器”在此包括具有集成非線性元件的任何矩陣顯示器,即除了有源矩陣外,還有具有無源(passiven)元件的顯示器,如可變電阻或二極管(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。
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