[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610947739.2
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN107039486B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白承漢;裵孝大;吳永茂;李貞源;宋憲一;余宗勳
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：包括像素區(qū)域的基板；在所述基板上方位于所述像素區(qū)域中的第一電極；位于所述基板上方的輔助電極，所述輔助電極與所述第一電極間隔開并且所述輔助電極位于所述像素區(qū)域的邊界處；位于所述第一電極和所述輔助電極上方的第二電極；設(shè)置在所述第一電極和所述輔助電極的每一個與所述第二電極之間的有機(jī)層；和導(dǎo)電構(gòu)件，所述導(dǎo)電構(gòu)件位于所述輔助電極與所述第二電極之間并且將所述第二電極電連接至所述輔助電極。因此，簡化了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工藝并降低了生產(chǎn)成本。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求享有于2015年11月3日在韓國提交的韓國專利申請第10-2015-0154133號的優(yōu)先權(quán)，通過引用將該專利申請結(jié)合在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，且更具體地，涉及一種能夠防止亮度非均勻性問題的OLED。

背景技術(shù)

近來，諸如等離體顯示面板(PDP)、液晶顯示(LCD)裝置和OLED裝置之類的平板顯示裝置被廣泛的研究和應(yīng)用。

在這些平板顯示裝置中，由于作為自發(fā)光型顯示裝置的OLED裝置不需要背光單元，所以O(shè)LED裝置可具有重量輕和外形纖薄的優(yōu)點(diǎn)。

此外，OLED裝置具有優(yōu)異的視角、對比度、功耗、響應(yīng)時間、生產(chǎn)成本、產(chǎn)量等的特性。

OLED裝置可包括連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)、連接至開關(guān)TFT的驅(qū)動TFT、以及有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管連接至驅(qū)動TFT并且有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極。

第一電極可用作陽極并且第一電極可包括具有相對較高的功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料。第二電極可用作陰極且第二電極可包括具有相對較低的功函數(shù)的金屬材料。所述金屬材料可具有不透明特性。

在頂部發(fā)光型OLED裝置中，來自有機(jī)發(fā)光層的光穿過不透明的第二電極。因此，應(yīng)當(dāng)對第二電極的厚度進(jìn)行控制，以使其具有透光特性。

然而，當(dāng)?shù)诙姌O的厚度降低時，第二電極的電阻增加，使得在第二電極中產(chǎn)生壓降問題。也就是說，在OLED裝置中產(chǎn)生亮度非均勻性問題。

特別是，上述亮度非均勻性問題在大尺寸OLED裝置中很嚴(yán)重。

為了防止上述亮度非均勻性問題，可形成連接至第二電極的輔助線，以減小第二電極的電阻。

圖1是相關(guān)技術(shù)的OLED裝置的示意性平面圖，圖2是沿著圖1中的線II-II截取的示意性截面圖。

參照圖1，相關(guān)技術(shù)的OLED裝置包括：基板11，基板11包括多個像素區(qū)域P；設(shè)置在基板11上或上方且位于各個像素區(qū)域P中的第一電極50；設(shè)置在像素區(qū)域P的邊界處的輔助電極53；以及設(shè)置在像素區(qū)域P的邊界處的堤部(bank)57。輔助電極53與第一電極50間隔開。堤部57覆蓋第一電極50的邊緣和輔助電極53并且包括暴露輔助電極53的一部分的輔助接觸孔55。

輔助電極53和輔助接觸孔55具有與第一電極50大致相同的寬度并且分離地布置在各個像素區(qū)域P處。

參照圖2，半導(dǎo)體層13形成在基板11上，半導(dǎo)體層13包括第一區(qū)域13a和位于第一區(qū)域13a兩側(cè)的第二區(qū)域13b。第一區(qū)域13a由本征多晶硅形成，第二區(qū)域13b由摻雜雜質(zhì)的多晶硅形成。

柵極絕緣層15形成在半導(dǎo)體層13上，在柵極絕緣層15上形成與半導(dǎo)體層13的第一區(qū)域13a對應(yīng)的柵極電極25。層間絕緣層17形成在柵極電極25上。

在這種情況下，穿過柵極絕緣層15和層間絕緣層17形成半導(dǎo)體接觸孔21，以暴露半導(dǎo)體層13的第二區(qū)域13b。