[發明專利]一種基于DRAM的存儲緩存方法和智能終端

在審

• 申請號: 201610946703.2
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN108008912A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 繆勰;王一靜
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明實施例提供一種基于DRAM的存儲緩存方法，應用于智能終端，其特征在于，所述方法包括：捕獲上層應用下發的IO；根據配置策略，判斷所述IO是否為待緩存的IO類型；當所述IO的為預先指定的待緩存的IO類型時，根據IO的讀寫類型和預設的緩存策略在DRAM Disk對所述IO進行相應的緩存操作；其中所述DRAM Disk是通過預先預留的操作系統的一部分DRAM空間創建的塊設備。

技術領域

本發明涉及存儲領域，特別涉及一種基于DRAM的存儲緩存方法和智能終端。

背景技術

智能終端產品目前主要采用類似SSD(Solid State Drives，固態硬盤)的eMMC作為存儲介質，這種flash介質優點是相比傳統的存儲介質，擁有更好的隨機讀寫性能，更低的功耗，更高的存儲密度。不過flash類存儲介質也有明顯的缺點，比如隨機小尺寸IO的性能還是遠遠低于大尺寸的順序IO，存儲介質的寫次數有限制，寫的次數直接影響到存儲設備的壽命。

現在業內為了均衡的寫存儲介質，一般采用的是追加寫的方式，這種方式下容易使存儲介質出現大量的空間碎片，而空間碎片較多的情況下會導致訪問一個文件產生更多的IO，圖1是存儲空間碎片化前后的IO寫和IO重寫的性能測試數據，可以看到，碎片化后IO性能急劇的衰減，因為存儲空間嚴重碎片化后，IO寫會因為空間的碎片化，而拆封成多個IO，導致下發底層塊設備的IO數量增加，每個IO的尺寸變小。

而小尺寸的IO，在IO傳輸的完整路徑上存在相比大尺寸IO有更多的非IO數據的額外開銷(如IO命令的個數)，而這些會導致IO性能發生急劇的衰減。

發明內容

本發明實施例提供一種基于DRAM的存儲緩存方法和智能終端，提高IO性能。

本發明一方面提供一種基于DRAM的存儲緩存方法，應用于智能終端，所述方法包括：

捕獲上層應用下發的IO；

根據配置策略，判斷所述IO是否為待緩存的IO類型；

當所述IO的為預先指定的待緩存的IO類型時，根據IO的讀寫類型和預設的緩存策略在DRAM Disk對所述IO進行相應的緩存操作；其中所述DRAM Disk是通過預先預留的操作系統的一部分DRAM空間創建的塊設備。

一種可能的實現方式中，所述根據配置策略，判斷所述IO是否為預先指定的待緩存的IO類型，包括：

判斷所述IO的大小和預設閾值的大小關系；

當所述IO的大小小于所述預設閾值時，判斷所述IO為待緩存的IO類型。

一種可能的實現方式中，所述根據配置策略，判斷所述IO是否為預先指定的待緩存的IO類型，具體包括：

判斷所述IO的類型是否為用戶預先指定的IO類型；

當所述IO的類型為為用戶預先指定的IO類型時，判斷所述IO為待緩存的IO類型，其中用戶預先指定的IO類型為熱數據IO或者隨機IO。

一種可能的實現方式中，DRAM Disk是通過預先預留的DRAM創建的塊設備，在一個實施例中通過底層firmware對該DRAM區域進行屏蔽，使OS對該DRAM不可見來避免該DRAM被操作系統分配給其他模塊使用；在一個實施例中，也可以在底層firmware給OS上報系統全局內存信息時，將該DRAM區域設置為預留來避免分配給其他模塊；

一種可能的實現方式中，這段預留的DRAM可以是連續空間；在另一個實施例中，這段預留的DRAM也可以是不連續空間；

一種可能的實現方式中，所述根據IO的讀寫類型和預設的緩存策略在DRAM Disk對所述IO進行相應的緩存操作，包括：

判斷所述IO的的讀寫類型；