[發(fā)明專利]基板加熱裝置及基板加熱方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610945544.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106971938B | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤茂;山谷謙一;升芳明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種基板加熱裝置及基板加熱方法,縮短基板的加熱所需要的工作時(shí)間。實(shí)施方式的基板加熱裝置包含:減壓部,能夠?qū)⑼坎加杏脕硇纬删埘啺返娜芤旱幕鍦p壓;第一加熱部,能夠以第一溫度加熱所述基板;以及第二加熱部,能夠以比所述第一溫度更高的第二溫度加熱所述基板;且所述第二加熱部與所述第一加熱部分別獨(dú)立地設(shè)置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板加熱裝置及基板加熱方法。
背景技術(shù)
近年來,作為電子裝置用基板,有代替玻璃基板而使用具有可撓性的樹脂基板的市場(chǎng)需求。例如,這種樹脂基板使用聚酰亞胺膜。例如,聚酰亞胺膜是在對(duì)基板涂布聚酰亞胺的前驅(qū)物的溶液之后,經(jīng)過加熱所述基板的步驟(加熱步驟)而形成。例如,作為聚酰亞胺的前驅(qū)物的溶液,有包含聚酰胺酸及溶劑的聚酰胺酸清漆(例如,參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。
[背景技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2001-210632號(hào)公報(bào)
[專利文獻(xiàn)2]國際公開第2009/104371號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明要解決的問題]
另外,所述加熱步驟包括:第一步驟,以相對(duì)低溫使溶劑蒸發(fā);以及第二步驟,以相對(duì)高溫使聚酰胺酸硬化。因此,有將基板的加熱溫度從第一步驟的溫度提高到第二步驟的溫度期間需要長(zhǎng)時(shí)間的擔(dān)憂,在縮短基板的加熱所需要的工作時(shí)間方面存在問題。
鑒于如上所述的情況,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠縮短基板的加熱所需要的工作時(shí)間的基板加熱裝置及基板加熱方法。
[解決問題的技術(shù)手段]
本發(fā)明的一形態(tài)的基板加熱裝置的特征在于包含:減壓部,能夠?qū)⑼坎贾脕硇纬删埘啺返娜芤旱幕鍦p壓;第一加熱部,能夠以第一溫度加熱所述基板;及第二加熱部,能夠以比所述第一溫度更高的第二溫度加熱所述基板;且所述第二加熱部與所述第一加熱部分別獨(dú)立地設(shè)置。
根據(jù)該構(gòu)成,第二加熱部與第一加熱部分別獨(dú)立地設(shè)置,因此,能夠?qū)⒌诙訜岵康纳郎厮俾试O(shè)為比第一加熱部的升溫速率更大,能夠使基板溫度在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到所需要的溫度。例如,能夠在使第一加熱部接近基板之前(具體來說,在投入基板時(shí)),通過減壓部將基板設(shè)為減壓氣體氛圍,并在保持該減壓氣體氛圍的狀態(tài)下,一邊利用第一加熱部加熱基板,一邊進(jìn)而利用第二加熱部加熱基板。另外,也能夠在利用第一加熱部加熱基板期間,預(yù)先將第二加熱部升溫,而能夠以第二溫度加熱基板。因此,無須考慮將基板的加熱溫度從第一溫度提高到第二溫度期間的時(shí)間。因此,能夠縮短基板的加熱所需要的工作時(shí)間。
在所述基板加熱裝置中,所述第二加熱部的升溫速率也可以比所述第一加熱部的升溫速率更大。
根據(jù)該構(gòu)成,和第二加熱部的升溫速率為與第一加熱部的升溫速率同等以下的情況相比,能夠在短時(shí)間內(nèi)將第二加熱部升溫。因此,即便在第一溫度與第二溫度的差相對(duì)較大的情況下,也能夠縮短將基板的加熱溫度提高到第二溫度的期間的時(shí)間。
在所述基板加熱裝置中,所述第二加熱部的降溫速率也可以比所述第一加熱部的降溫速率更大。
根據(jù)該構(gòu)成,和第二加熱部的降溫速率為與第一加熱部的降溫速率同等以下的情況相比,能夠在短時(shí)間內(nèi)將第二加熱部降溫。因此,即便在以第二溫度加熱基板之后將基板冷卻的情況下,也能夠縮短將基板的加熱溫度降低到冷卻溫度期間的時(shí)間。
在所述基板加熱裝置中,也可以還包含腔室,所述腔室能夠收容所述基板、所述第一加熱部及所述第二加熱部。
根據(jù)該構(gòu)成,能夠在腔室內(nèi)管理基板的加熱溫度,因此,能夠有效地加熱基板。
在所述基板加熱裝置中,所述基板、所述第一加熱部及所述第二加熱部也可以收容于共用的所述腔室。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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