[發(fā)明專利]半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610945499.2 | 申請日： | 2016-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN107993938A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳儒 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 反應(yīng) 離子 刻蝕 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于，包括：
向反應(yīng)腔通入用于與硅形成鈍化層的第一氣體，保持預(yù)定時(shí)長后，通入含氟的第二氣體，達(dá)到第一時(shí)間點(diǎn)后先停止通入所述第二氣體，達(dá)到第二時(shí)間點(diǎn)后再停止通入所述第一氣體，所述第一時(shí)間點(diǎn)早于所述第二時(shí)間點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于：所述第一氣體為CO2、CO、O2、N2中的任一或任意兩種以上組合的混合氣體。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于：所述第二氣體為SF6、CF4、CHF4、NF3中的任一。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于：所述第一氣體和所述第二氣體的流量比例為2:3～5:6。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于：刻蝕過程中的氣壓范圍為3～400毫托，射頻功率為100～220瓦，射頻頻率為60～80兆赫茲。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的反應(yīng)離子刻蝕方法，其特征在于：還包括向反應(yīng)腔通入惰性氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
