[發明專利]具有N通孔電極的半導體器件結構在審
| 申請號： | 201610945439.0 | 申請日： | 2016-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN108023003A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 郝茂盛;張楠;袁根如 | 申請（專利權）人： | 上海芯元基半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 電極 半導體器件 結構 | ||
1.一種具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構包括：
外延結構，包括依次層疊的N型層及P型層；
通孔結構，貫穿所述外延結構；
絕緣層，形成于所述通孔結構內的P型層的側壁；
N電極，填充于所述通孔內，并與通孔內的N型層接觸；
P電極，形成于所述P型層上。
2.根據權利要求1所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述通孔結構的孔徑范圍為1～30微米。
3.根據權利要求1所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述絕緣層選用為二氧化硅層及氮化硅層中的一種或兩種組成的疊層。
4.根據權利要求1所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述N電極的材料包括Au、Ag、Cu、Al及W中的一種。
5.根據權利要求1所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述半導體器件結構為發光二極管結構，包括：
外延結構，包括依次層疊的N型層、量子阱層以及P型層；
通孔結構，貫穿所述外延結構；
絕緣層，形成于所述通孔結構內的量子阱層以及P型層的側壁；
反射層，結合于所述通孔的側壁；
N電極，填充于所述通孔內，并與通孔內的N型層接觸；
P電極，形成于所述P型層上。
6.根據權利要求5所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述絕緣層覆蓋所述量子阱層以及P型層的側壁，并延伸覆蓋于部分的N-GaN層的側壁。
7.根據權利要求5所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述發光二極管結構的出光面為P型層表面，所述發光二極管結構的側壁及所述N型層表面均形成有反射鏡結構。
8.根據權利要求5所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述發光二極管結構的出光面為N型層表面，所述發光二極管結構的側壁及所述P型層表面均形成有反射鏡結構。
9.根據權利要求5所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述反射層包括種子層以及反射金屬層，所述種子層包括Cr、Ni及Ti中的一種，所述反射金屬層包括Ag及Al中的一種。
10.根據權利要求5所述的具有N通孔電極的半導體器件結構，其特征在于：所述P型層表面形成有電流擴展層，所述P電極形成于所述電流擴展層表面。
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