[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610944717.0
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN106972015B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成洙;樸起寬;崔正憲;柳庚玟;李宣姃
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，其包括第一區(qū)和第二區(qū)；

第一區(qū)的襯底上的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)間隔開第一距離；

第二區(qū)的襯底上的第三柵極結(jié)構(gòu)和第四柵極結(jié)構(gòu)，第三柵極結(jié)構(gòu)與第四柵極結(jié)構(gòu)間隔開與第一距離不同的第二距離；

第一區(qū)的襯底上的第一層間絕緣膜，第一層間絕緣膜包括第一下層間絕緣膜和第一下層間絕緣膜上的第一上層間絕緣膜，第一下層間絕緣膜包圍第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一部分和第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一部分，第一下層間絕緣膜的上表面低于第一柵極結(jié)構(gòu)的上表面；

第二區(qū)的襯底上的第二層間絕緣膜，第二層間絕緣膜包括第二下層間絕緣膜和第二下層間絕緣膜上的第二上層間絕緣膜，第二下層間絕緣膜包圍第三柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一部分和第四柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一部分，第二下層間絕緣膜的上表面低于第三柵極結(jié)構(gòu)的上表面；

第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)之間的第一接觸部分，第一接觸部分在第一層間絕緣膜中并且具有第一寬度；

第三柵極結(jié)構(gòu)與第四柵極結(jié)構(gòu)之間的第二接觸部分，第二接觸部分在第二層間絕緣膜中并且具有與第一寬度不同的第二寬度；以及

從襯底突出的第一鰭式圖案和第二鰭式圖案，

其中，第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)與第一鰭式圖案交叉，

第三柵極結(jié)構(gòu)和第四柵極結(jié)構(gòu)與第二鰭式圖案交叉，

第一寬度與第一柵極結(jié)構(gòu)的上表面的寬度相關(guān)聯(lián)，第二寬度與第三柵極結(jié)構(gòu)的上表面的寬度相關(guān)聯(lián)，并且

第一柵極結(jié)構(gòu)包括限定溝槽的柵極間隔件、沿著所述溝槽的側(cè)壁和底表面的柵極絕緣膜以及位于柵極絕緣膜上并且填充所述溝槽的柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一下層間絕緣膜不介于第一上層間絕緣膜與第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間，并且第一下層間絕緣膜不介于第一上層間絕緣膜與第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一距離大于第二距離，并且第一寬度大于第二寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一下層間絕緣膜與第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的第一襯墊，第一襯墊在第一下層間絕緣膜與襯底的上表面之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的第一襯墊的最上面的部分的高度低于第一柵極結(jié)構(gòu)的上表面的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二下層間絕緣膜與第三柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的第二襯墊，第二襯墊在第二下層間絕緣膜與襯底的上表面之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一接觸部分與第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)接觸，并且

第二接觸部分與第三柵極結(jié)構(gòu)和第四柵極結(jié)構(gòu)接觸。