[發明專利]甲砜霉素分子印跡電化學傳感器及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201610944433.1
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN106525932B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 楊光明;劉衛;徐世娟;陳顯蘭;石玲
• 申請（專利權）人: 紅河學院
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400
• 代理人: 邢若蘭;高之波

1.一種甲砜霉素分子印跡電化學傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、制備多孔Pt-Pd納米顆粒；

步驟2、制備多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物；

步驟3、用多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物、氨基化多壁碳納米管及多孔Pt-Pd納米顆粒修飾L型玻碳電極；

步驟4、將修飾后的L型玻碳電極以鄰苯二胺為功能單體和甲砜霉素為模板分子，循環伏安制備分子印跡修飾電極；再洗脫除去聚合膜中的模板分子，得到甲砜霉素分子印跡膜修飾電極；

其中，步驟2中制備多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物，具體為：

步驟2.1、多孔氧化石墨烯的制備：

在磁力攪拌下，將KMnO₄加入氧化石墨烯分散液中，使其反應12h，其中，KMnO₄與氧化石墨烯分散液的質量比為8：1-15:1；然后，將HCl和H₂O₂加入到上述反應溶液中，繼續反應3h，其中氧化石墨烯分散液與HCl與H₂O₂的體積比均為2:1-4:1；反應結束后，將所得產物離心分離、水洗，置于真空干燥器在55-60℃下干燥；制備得到多孔氧化石墨烯分散液；

步驟2.2、多孔石墨烯-二硫化鉬納米花復合物的制備：

將(NH₄)₆Mo₇O₂·4H₂O和硫脲溶解到多孔氧化石墨烯分散液中，再將上述混合液轉移至反應釜中，210-230℃下反應12h；其中，(NH₄)₆Mo₇O₂·4H₂O與多孔氧化石墨烯質量比為4:1-1:1；硫脲與多孔氧化石墨烯質量比為50:1-30:1；反應結束后，將所得產物離心分離、水洗，置于真空干燥器在55-65℃下干燥，制備得到多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物；HCl與H₂O₂的質量百分濃度分別為36％和30％。

2.根據權利要求1所述的甲砜霉素分子印跡電化學傳感器的制備方法，其特征在于，步驟1中多孔Pt-Pd納米顆粒的制備具體如下：將十六烷基吡啶、Na₂PdCl₄和H₂PtCl₆按照體積比為3:1:1-8:1:1加入到一只圓底燒瓶中，使其形成均一的分散液；接著將新鮮配制的抗壞血酸溶液迅速加入上述溶液，抗壞血酸溶液與十六烷基吡啶溶液的體積比為1:25-1:5，經過輕輕地震動，使其分散均勻，并將圓底燒瓶置于80-90℃油浴中反應2.5-3.5h；然后，將所得溶膠離心，并用水洗多次，獲得樹枝狀的多孔Pt-Pd納米顆粒；十六烷基吡啶、Na₂PdCl₄、H₂PtCl₆的濃度均為：10mol L^-1。

3.根據權利要求1所述的甲砜霉素分子印跡電化學傳感器的制備方法，其特征在于，步驟3中的修飾采用以下步驟：將多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物的N,N-二甲基甲酰胺分散液滴涂到L型玻碳電極表面，在80℃下烘干；然后，將含氨基化多壁碳納米管與多孔Pt-Pd納米顆粒的N,N-二甲基甲酰胺分散液滴涂上述電極表面，并繼續在80℃下烘干；

所述多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物的N,N-二甲基甲酰胺分散液的濃度為5mgmL^-1；含氨基化多壁碳納米管與多孔Pt-Pd納米顆粒的DMF分散液中氨基化多壁碳納米管濃度為0.2mgμL^-1，多孔Pt-Pd納米顆粒的濃度為5mgμL^-1，多孔石墨烯-二硫化鉬納米花狀復合物的N,N-二甲基甲酰胺分散液與含氨基化多壁碳納米管與多孔Pt-Pd納米顆粒的N,N-二甲基甲酰胺分散液的體積比為1:1。