[發(fā)明專利]顯示面板的薄膜晶體管

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610944214.3
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN107039500A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 楊育鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 王濤,湯在彥

1.一種顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

一圖案化光吸收層，設置于一透明基板上；

一圖案化半導體層，設于所述圖案化光吸收層上；

一圖案化柵極絕緣層，設置于所述圖案化半導體層上；

一柵極，設置于所述圖案化柵極絕緣層上；

一源極，設置于所述圖案化半導體層上并與所述圖案化半導體層電連接；以及

一漏極，設置于所述圖案化半導體層上并與所述圖案化半導體層電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述圖案化光吸收層的圖案范圍大于或等于所述圖案化半導體層的圖案范圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述圖案化光吸收層為一非晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管另包括一阻障層，設置于所述圖案化光吸收層與所述圖案化半導體層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻障層的材料包括硅氧化物與金屬氧化物的其中之一。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管另包括一介電層，設置于所述柵極上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極與所述漏極設置于所述介電層上，且所述源極與所述漏極分別經(jīng)由所述介電層的一引線孔而與所述圖案化半導體層電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述介電層的材料包括氮化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明基板為可撓式基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管另包括一緩沖層設于所述透明基板與所述圖案化光吸收層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明基板的材料包括聚酰亞胺，且所述緩沖層的材料包括氮化硅或氧化硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的薄膜晶體管，其特征在于，所述圖案化半導體層的材料包括金屬氧化物半導體材料、非晶硅半導體或有機半導體材料。

13.一種顯示面板的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一透明基板；

于所述透明基板上依序形成一光吸收層與一半導體層；

移除部分所述半導體層與部分所述光吸收層，以形成一圖案化光吸收層與一圖案化半導體層，其中所述圖案化光吸收層的圖案范圍大于或等于所述圖案化半導體層的圖案范圍；

于所述圖案化半導體層上形成一圖案化柵極絕緣層與一柵極，且所述圖案化柵極絕緣層與所述柵極依序堆疊于所述圖案化半導體層上；

于所述圖案化半導體層之上形成一源極與一漏極，其中所述源極與所述漏極分別與所述圖案化半導體層電連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法另包括在移除部分所述半導體層與所述光吸收層之前，利用一灰階掩膜或一半色調(diào)掩膜進行一微影工藝，以在所述半導體層上形成一圖案化光阻層，所述圖案化光阻層具有一第一部分與一第二部分，其中所述第二部分設于所述第一部分的兩側(cè)，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，更包括一刻蝕工藝的步驟，包括：

移除未被所述圖案化光阻層遮蔽的部分所述半導體層與部分所述光吸收層；

移除所述圖案化光阻層的所述第二部分；以及

移除未被所述圖案化光阻層的所述第一部分遮蔽的部分所述半導體層。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述圖案化光吸收層的圖案范圍大于所述圖案化半導體層的圖案范圍。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述圖案化光吸收層為一非晶硅層。