[發(fā)明專利]一種LDO電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610943943.7
• 申請(qǐng)日: 2016-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN108021169A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張超;楊志家;董策;王劍;崔書平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)自動(dòng)化研究所
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002
• 代理人: 王倩

1.一種LDO電路，其特征在于包括順序連接的基準(zhǔn)源、差分放大器和LDO輸出級(jí)；

所述基準(zhǔn)源用于提供基準(zhǔn)電壓至差分放大器，提供基準(zhǔn)電流偏置電壓至差分放大器和LDO輸出級(jí)；

所述差分放大器電路用于對(duì)LDO輸出級(jí)的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓之間的差電壓進(jìn)行放大并輸出至LDO輸出級(jí)，基準(zhǔn)電流偏置電壓為差分放大器電路提供尾電流源的偏置電壓；所述差分放大器包括差分輸入對(duì)管、電流鏡、尾電流源；差分輸入對(duì)管與電流鏡、尾電流源連接，還與基準(zhǔn)源、LDO輸出級(jí)連接；

所述LDO輸出級(jí)接收基準(zhǔn)電流偏置電壓，并基于差分放大器電路的輸出對(duì)LDO輸出級(jí)的輸出電壓進(jìn)行控制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LDO電路，其特征在于所述基準(zhǔn)源包括PMOS管PM1和NMOS管NM1；所述PM1的源極連接電流源，還與差分輸入對(duì)管連接，柵極與漏極連接，漏極與NM1的漏極、柵極連接，還與尾電流源連接，源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LDO電路，其特征在于所述差分輸入對(duì)管包括NMOS管NM2和NMOS管NM3；NM2和NM3的源極與尾電流源連接，NM2的漏極與電源連接，NM3的漏極與電流鏡連接；NM2的柵極與基準(zhǔn)源PM1的源極連接，NM3的柵極與LDO輸出級(jí)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LDO電路，其特征在于所述電流鏡包括PMOS管PM2和PMOS管PM3；所述PM2和PM3的源極與電源連接，柵極互連；PM2的漏極與柵極連接，還與差分輸入對(duì)管的NM3的漏極連接；PM3的漏極與尾電流源和LDO輸出級(jí)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LDO電路，其特征在于所述尾電流源包括NMOS管NM4和NMOS管MN5；所述NM4的柵極、NM5的柵極與基準(zhǔn)源的NM1的柵極、LDO輸出級(jí)連接，NM4的源極和NM5的源極接地，NM4的漏極與差分輸入對(duì)管NM2的源極、NM3的源極連接；NM5的漏極與電流鏡的PM3的漏極連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LDO電路，其特征在于所述LDO輸出級(jí)包括PMOS管PM4和NMOS管NM6；PM4的源極與電源連接，柵極與電流鏡的PM3的漏極連接，漏極作為輸出端用于輸出電壓VOUT至電源負(fù)載，并與NM6的漏極連接；NM6的源極接地，柵極與基準(zhǔn)源的NM1的柵極連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LDO電路，其特征在于所述NMOS管NM1、NMOS管NM5和NMOS管NM6的寬長(zhǎng)比均相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LDO電路，其特征在于所述NMOS管NM4的寬長(zhǎng)比是NMOS管NM1的兩倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求3在所述的LDO電路中，其特征在于所述NMOS管NM2和NMOS管NM3的寬長(zhǎng)比相等。

10.根據(jù)權(quán)利要求4在所述的LDO電路中，其特征在于所述PMOS管PM2和PMOS管PM3的寬長(zhǎng)比相等。